申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司

申请日：2022-09-02

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117715437A

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本申请公开了一种SOT‑MRAM单元和存储器，涉及磁随机存储领域，包括：自旋轨道矩提供线；设于自旋轨道矩提供线上的至少两个间隔的磁隧道结，其中，磁隧道结包括至少两层介质层和层叠的自由层、参考层、钉扎层，其中一层介质层设于自由层和参考层之间。本申请SOT‑MRAM单元中的磁隧道结中除了设于自由层和参考层自之间的介质层，还设有至少一层介质层。当设于自由层和参考层自之间的介质层发生短路，在进行写操作时，其余介质层可以作为保护电阻，避免自旋轨道矩提供线连接的WWL上电流发生比较大的变化，解决因一个磁隧道结出现短路而导致的与该磁隧道结所在自旋轨道矩提供线连接的整个WWL无法工作的难题，提高良率。

主权项：1.一种SOT-MRAM单元，其特征在于，包括：自旋轨道矩提供线；设于所述自旋轨道矩提供线上的至少两个间隔的磁隧道结，其中，所述磁隧道结包括至少两层介质层和层叠的自由层、参考层、钉扎层，其中一层所述介质层设于所述自由层和所述参考层之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种SOT-MRAM单元和存储器

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