申请/专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117709293A

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;G06F117/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供了一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法，将层间介质层中所有热流方向均视为向下平行传递；水平方向上对模型各层进行了区域划分，各区域仅接收并传递全局互连线向水平面的投影与该区域向水平面投影能够重合的这一部分全局互连线产生的热量；热流在经过互连线时所产生的温升被忽略掉。然后计算出各互连层每个区域的温升后，按照其横向几何尺寸占比将温升进行加权，得到最终仅需几何尺寸和热源功耗即可快速地近似计算任意两层互连层之间温升的方法。因此本发明可以降低计算互连层之间温升的难度和成本，并保证了计算准确率。

主权项：1.一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法，其特征在于，包括：S100，根据CMOS集成电路中的互连结构的工艺参数建立物理模型，并通过对物理模型作热仿真得到等温面分布图；S200，根据所述等温面分布图，在所述物理模型的结构剖面上沿着垂直于等温面分布的方向绘制热流传递图；S300，按照热流传递图以及区域尺寸，在互连结构的物理模型的剖面进行区域划分，并分别计算每层各区域所需传递的热量以及传递该热量为各区域本身所带来的温升；S400，根据每层各区域的温升计算整个区域的温升，并将该温升与参考值作误差计算得到相对误差；S500，如果所述相对误差不在误差范围内，则调整所述各区域的区域尺寸，重复S300至S400直至相对误差在误差范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 一种计算先进工艺CMOS集成电路互连层纵向温度分布的方法

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