申请/专利权人：核工业西南物理研究院;中核同创(成都)科技有限公司;四川轻化工大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727613A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种用于宽幅薄膜的连续离子刻蚀装置，包括真空室、辊组及若干气体离子源，真空室内开有刻蚀口，刻蚀口的长度稍大于宽幅薄膜的宽度，真空室内靠近刻蚀口转动设置有冷毂，冷毂的轴线与刻蚀口的长度方向平行，冷毂的毂面为圆柱面，用于撑展宽幅薄膜，真空室开有进膜口和出膜口；辊组用于使宽幅薄膜沿长度方向、从进膜口进入真空室，并从出膜口移出；气体离子源和真空室可拆卸连接，气体离子源的输出端从刻蚀口的同侧指向刻蚀口。其能够解决现有的等离子表面处理装置无法有效处理宽幅薄膜的问题。

主权项：1.一种用于宽幅薄膜的连续离子刻蚀装置，其特征在于，包括：真空室10，所述真空室10内开有刻蚀口13，所述刻蚀口13的长度稍大于宽幅薄膜的宽度，所述真空室10内靠近所述刻蚀口13转动设置有冷毂20，所述冷毂20的轴线与所述刻蚀口13的长度方向平行，所述冷毂20的毂面为圆柱面，用于撑展宽幅薄膜，所述真空室10开有进膜口11和出膜口12；辊组，所述辊组用于使宽幅薄膜沿长度方向、从所述进膜口11进入所述真空室10，并从所述出膜口12移出；若干气体离子源30，所述气体离子源30和所述真空室10可拆卸连接，所述气体离子源30的输出端从所述刻蚀口13的同侧指向所述刻蚀口13。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 核工业西南物理研究院;中核同创(成都)科技有限公司;四川轻化工大学 一种用于宽幅薄膜的连续离子刻蚀装置及刻蚀方法

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