申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727757A

主分类号：H01L27/085

分类号：H01L27/085;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种半导体器件，括绝缘衬底、沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二源极以及第二漏极。沟道层、势垒层、第一栅极、第一源极以及第一漏极形成第一晶体管，沟道层、势垒层、第二栅极、第二源极以及第二漏极形成第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管设置于绝缘衬底上。透过绝缘衬底的配置，抑制第一晶体管和第二晶体管之间的串扰，使第一晶体管和第二晶体管不会受到衬偏效应的影响，而无需第一源极和衬底的短接和第二源极和衬底的短接。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：绝缘衬底，包括第一区域以及第二区域；沟道层，设置于所述绝缘衬底上；势垒层，设置于所述沟道层上；第一栅极，设置于所述第一区域并位于所述势垒层上；第一源极，设置于所述第一区域的所述势垒层上，并位于所述第一栅极的一侧；第一漏极，设置于所述第一区域的所述势垒层上，并位于所述第一栅极的另一侧；第二栅极，设置于所述第二区域并位于所述势垒层上；第二源极，设置于所述第二区域的所述势垒层上，并位于所述第二栅极的一侧；以及第二漏极，设置于所述第二区域的所述势垒层上，并位于所述第二栅极的另一侧；其中，所述沟道层、所述势垒层、所述第一栅极、所述第一源极以及所述第一漏极形成第一晶体管，所述沟道层、所述势垒层、所述第二栅极、所述第二源极以及所述第二漏极形成第二晶体管，所述绝缘衬底的晶格与所述沟道层的晶格接近。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 半导体器件

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