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【发明公布】电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件_三星电子株式会社_202311198035.6 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2023-09-15

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN117727742A

主分类号:H01L23/64

分类号:H01L23/64;H10B12/00

优先权:["20220919 KR 10-2022-0118063"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.03.19#公开

摘要:一种电容器结构包括第一下导电图案、第一电容器、第一上导电图案、第二下导电图案、第二电容器和第二上导电图案。第一电容器包括第一下电极、第一上电极和第一介电结构。每一个第一介电结构设置在第一下电极之一与第一上电极中的对应第一上电极之间。第一上导电图案形成在第一上电极上并且电连接到第一上电极。第二下导电图案与设置在衬底上的第一下导电图案间隔开。第二电容器包括第二下电极、第二上电极和第二介电结构。第二上导电图案形成在第二上电极上并且电连接到第二上电极。第一导电图案和第二导电图案彼此电绝缘。

主权项:1.一种电容器结构,包括:第一下导电图案,设置在衬底上;第一电容器,包括:第一下电极,在所述第一下导电图案上沿与所述衬底的上表面基本平行的水平方向彼此间隔开,所述第一下电极电连接到所述第一下导电图案;第一上电极,设置在所述第一下电极之间的空间中,并且还设置在与所述第一下电极中的设置在第一端部处的第一下电极相邻的空间中;以及第一介电结构,每一个所述第一介电结构设置在所述第一下电极之一与所述第一上电极中的对应第一上电极之间;第一上导电图案,设置在所述第一上电极上并且电连接到所述第一上电极;第二下导电图案,设置在所述衬底上,所述第二下导电图案与所述第一下导电图案间隔开;第二电容器,包括:第二下电极,在所述第二下导电图案上沿所述水平方向彼此间隔开,所述第二下电极电连接到所述第二下导电图案;第二上电极,设置在所述第二下电极之间的空间中,并且还设置在与所述第二下电极中的设置在第一端部处的第二下电极相邻的空间中;以及第二介电结构,每一个所述第二介电结构设置在所述第二下电极之一与所述第二上电极中的对应第二上电极之间;以及第二上导电图案,设置在所述第二上电极上并且电连接到所述第二上电极,其中,所述第一上导电图案和所述第二上导电图案彼此电绝缘。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件

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