申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2021-07-20

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113589641B

主分类号：G03F1/26

分类号：G03F1/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本申请公开了一种相移掩模的制作方法，涉及半导体制造领域。该相移掩模的制作方法包括提供掩模基板；根据第一层图形设计数据，对掩模基板进行第一次图形化处理；在掩模基板表面涂布光刻胶；根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；以光刻胶为掩模，对掩模基板上的不透光层进行刻蚀；解决了目前相移掩模板的划片道内的条状缺陷的问题；达到了提高优化相移掩模的图形设计数据，提高相移掩模的良品率的效果。

主权项：1.一种相移掩模的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤101：提供掩模基板；步骤102：根据第一层图形设计数据，对所述掩模基板进行第一次图形化处理；步骤103：在所述掩模基板表面涂布光刻胶；步骤104：根据第二层图形设计数据，对所述光刻胶进行曝光和显影，显影后的光刻胶完全包裹划片道内需要被保留的不透光层，且所述划片道内需要被去除的不透光层不被光刻胶覆盖；步骤105：以光刻胶为掩模，对所述掩模基板上的不透光层进行刻蚀；其中，在根据第二层图形设计数据，对光刻胶进行曝光和显影之前，制作方法还包括：步骤201：获取掩模等级对应的平均值相对目标值偏差规范和registration规范；步骤202：根据平均值相对目标值偏差规范和registration规范，确定第二次图形设计数据中划片道内的不透光图形的偏差值；其中，步骤201至步骤202在对掩模基板进行图形化处理之前进行；其中，步骤202包括：步骤2021：根据所述平均值相对目标值偏差规范和所述registration规范，设定第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值；步骤2022：根据所述测试偏差值进行掩模缺陷测试，得到缺陷测试结果；步骤2023：检测所述缺陷测试结果是否满足通过标准；若检测到所述缺陷测试结果满足所述通过标准，则将所述测试偏差值确定为所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的偏差值；若检测到所述缺陷测试结果不满足所述通过标准，则重新设定所述第二层图形设计数据中划片道内的不透光层图形的测试偏差值，并重新执行步骤2021至步骤2023。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 相移掩模的制作方法

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