申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2021-03-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113054962B

主分类号：H03K17/16

分类号：H03K17/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.09.16#著录事项变更;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开

摘要：本发明公开了一种共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路，共源共栅GaN功率器件包括合封于一体的GaN器件和LDMOS器件，LDMOS器件包括集成于一体的LDMOS场效应管和栅极驱动器，栅极驱动器的信号输入端作为共源共栅GaN功率器件的逻辑信号输入端，信号输出端与LDMOS场效应管的栅极端相连接，接地端与LDMOS场效应管的源极端连接，连接点作为共源共栅GaN功率器件的源极端并连接GaN器件的栅极端，LDMOS场效应管的漏极端与GaN器件的源极端相连，GaN器件的漏极端作为共源共栅GaN功率器件的漏极端。本发明能够最大程度降低驱动回路的寄生参数、实现最佳开关性能，对于自供电及高侧专用共源共栅GaN功率器件，可极大简化电路，实现紧凑、高可靠的系统方案。

主权项：1.一种双管芯合封共源共栅GaN功率器件，其特征在于，所述双管芯合封共源共栅GaN功率器件包括合封于一体的GaN器件和LDMOS器件，所述LDMOS器件包括单衬底且集成于一体的LDMOS场效应管、栅极驱动器和与LDMOS场效应管和栅极驱动器集成于一体的自供电电路，所述栅极驱动器具有信号输入端、信号输出端、电源连接端和接地端，所述栅极驱动器的信号输入端向外引出作为双管芯合封共源共栅GaN功率器件的逻辑信号输入端，信号输出端与LDMOS场效应管的栅极端相连接，接地端与LDMOS场效应管的源极端连接于第一连接点，所述第一连接点向外引出作为双管芯合封共源共栅GaN功率器件的源极端，且所述第一连接点还连接GaN器件的栅极端，所述LDMOS场效应管的漏极端与GaN器件的源极端相连，所述GaN器件的漏极端向外引出作为双管芯合封共源共栅GaN功率器件的漏极端；所述自供电电路包括二极管和电阻，所述二极管的负极与栅极驱动器的电源连接端连接于第二连接点，正极连接于GaN器件的源极和LDMOS场效应管的漏极端之间，所述电阻的一端连接于栅极驱动器的信号输出端和LDMOS场效应管的栅极端之间并形成第三连接点，相对端连接于栅极驱动器的接地端和第一连接点之间并形成第四连接点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 共源共栅GaN功率器件及其半桥应用电路

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