申请/专利权人：季华恒一(佛山)半导体科技有限公司

申请日：2022-05-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220619188U

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型属于半导体晶体生长技术领域，特别涉及一种晶体生长装置，其包括：坩埚；第一接触加热组件，周向设置在所述坩埚的侧壁外；第二接触加热组件，周向设置在所述坩埚的侧壁外且位于所述第一接触加热组件上方；该晶体生长装置能够有效地增大籽晶与反应粉料升华气体的温度差，进而有效地提高物理气相传输法的结晶速度。

主权项：1.一种晶体生长装置，用于物理气相传输法的晶体生长，包括坩埚（1），其特征在于，所述晶体生长装置还包括：第一接触加热组件（2），周向设置在所述坩埚（1）的侧壁外；第二接触加热组件（3），周向设置在所述坩埚（1）的侧壁外且位于所述第一接触加热组件（2）上方；第三接触加热组件（4），所述第三接触加热组件（4）设置在所述坩埚（1）底面；所述晶体生长装置还包括第四接触加热组件（6），所述第四接触加热组件（6）设置在所述坩埚（1）顶面；所述坩埚（1）呈阶梯形圆柱状，所述坩埚（1）的上部的直径大于所述坩埚（1）的下部的直径；所述第一接触加热组件（2）和所述第三接触加热组件（4）之间设有隔热块（5）；所述第四接触加热组件（6）包括环形加热器和均匀分布在所述环形加热器内的弧形加热器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种晶体生长装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD