申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627779U

主分类号：H01L23/00

分类号：H01L23/00;G03F1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型提供了一种半导体装置及掩膜版，相比于现有技术中芯片的周围没有设置金属结构的方案，由于切割道的材质通常为SiO2，不仅材质较硬而且延展性差，切割时产生的应力无处释放，容易造成崩角、崩边以及刀痕偏移问题，而本实用新型通过在芯片的周围设置金属结构，利用金属本身的延展性，当切割时产生的应力到达金属结构时，金属结构会产生微小形变对应力进行释放和或传递，从而克服了在切割过程中崩角、崩边以及刀痕偏移问题，并降低了划片的难度，减少了芯片浪费，提高了芯片的产量。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括芯片、设置于所述芯片周围的切割道以及设置于所述芯片周围的金属结构，其中，所述金属结构位于所述切割道上，且用于传递和或释放切割道被切割时产生的应力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种半导体装置及掩膜版

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