申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747422A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/321

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，具体提供一种低应力深沟槽多晶栅及其制备方法，解决了现有方法对深且宽沟槽的多晶栅制备时存在硅片翘曲严重的问题，制备方法包括：在硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽内生长一层栅极氧化层；在沟槽内、栅极氧化层上制备掺杂多晶硅膜；在沟槽内、掺杂多晶硅层上制备未掺杂多晶硅膜；沟槽口处形成第一氧化层，对掺杂多晶硅膜和未掺杂多晶硅膜进行退火；去除第一氧化层；在沟槽中制备上掺杂多晶硅层，形成栅极，所述掺杂多晶硅层能够填满掺杂的多晶硅材料；在掺杂多晶硅层上形成第二氧化层，对多晶硅进行退火。本发明适合深、宽沟槽的多晶栅填充，降低硅衬底的应力，改善硅衬底翘曲，提升硅衬底中心与边缘的一致性。

主权项：1.一种低应力深沟槽多晶栅的制备方法，其特征在于，包括：S1：在硅衬底上刻蚀沟槽，并在沟槽内生长一层栅极氧化层；S2：在沟槽内、栅极氧化层上制备掺杂多晶硅膜；S3：在沟槽内、掺杂多晶硅层上制备未掺杂多晶硅膜；S4：沟槽口处形成第一氧化层，对掺杂多晶硅膜和未掺杂多晶硅膜进行退火；S5：去除第一氧化层；S6：在沟槽中制备上掺杂多晶硅层，形成栅极，掺杂多晶硅层能够填满掺杂的多晶硅材料；S7：在掺杂多晶硅层上形成第二氧化层，对多晶硅进行退火。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种低应力深沟槽多晶栅及其制备方法

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