申请/专利权人：赵依军

申请日：2022-09-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747616A

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/417;H01L29/423;H02J7/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：一种双MOS管，包括：衬底；外延，位于该衬底的正面；第一沟槽，形成于该外延中；第二沟槽，形成于该外延中；漏极，形成于该衬底的背面；围绕该第一沟槽构成第一源极和第一栅极，该第一源极、该第一栅极和该漏极构成第一MOS管；围绕该第二沟槽构成第二源极和第二栅极，该第二源极、该第二栅极和该漏极构成第二MOS管；其中，该第一源极的面积较大、该第二源极的面积较小，使得该第一MOS管的导通电阻小于该第二MOS管的导通电阻。有利于在满足电源管理的实际应用的基础上降低成本。

主权项：1.一种双MOS管，其特征在于，包括：衬底；外延，位于该衬底的正面；第一沟槽，形成于该外延中；第二沟槽，形成于该外延中；漏极，形成于该衬底的背面；围绕该第一沟槽构成第一源极和第一栅极，该第一源极、该第一栅极和该漏极构成第一MOS管；围绕该第二沟槽构成第二源极和第二栅极，该第二源极、该第二栅极和该漏极构成第二MOS管；其中，该第一源极的面积较大、该第二源极的面积较小，使得该第一MOS管的导通电阻小于该第二MOS管的导通电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 赵依军 一种双MOS管

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