申请/专利权人：株式会社FLOSFIA;国立大学法人京都大学

申请日：2022-07-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751435A

主分类号：H01L21/365

分类号：H01L21/365;H01L21/368;H01L29/24;H01L29/12

优先权：["20210730 JP 2021-126324"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×1018cm3以上，所述氧化物半导体是使用氧化物半导体的形成方法含有锗氧化物的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体的形成方法的特征在于，将含有掺杂元素的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到所述基体上，接着使所述雾化液滴在所述基体上进行热反应。

主权项：1.一种氧化物半导体，为含有锗氧化物的氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×1018cm3以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社FLOSFIA;国立大学法人京都大学 氧化物半导体及半导体装置

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