申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747599A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H10B12/00

优先权：["20220920 KR 10-2022-0118269"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：一种电容器结构包括：下电极结构，设置在衬底上，该下电极结构包括具有4个价电子的第一金属的氧化物，并且掺杂有具有3、5、6或7个价电子的第二金属；介电图案，设置在下电极结构的侧壁上；以及上电极，设置在介电图案的侧壁上。

主权项：1.一种电容器结构，包括：下电极结构，设置在衬底上，所述下电极结构包括具有4个价电子的第一金属的氧化物，并且掺杂有具有3、5、6或7个价电子的第二金属；介电图案，设置在所述下电极结构的侧壁上；以及上电极，设置在所述介电图案的侧壁上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件

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