申请/专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737818A

主分类号：C25F7/00

分类号：C25F7/00;H01L21/3063;C25F3/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开的改善电化学刻蚀均匀性装置，包括顶端开口的工艺容器，工艺容器顶端架设有一底部向下伸入于工艺容器内的容置槽，容置槽的底端开设有刻蚀口，容置槽内底端位于刻蚀口外设置有导电金属圈，导电金属圈上同轴设置有用于放置目标刻蚀晶圆的导电密封圈，目标刻蚀晶圆上方设置有顶块，顶块边缘开设有上下贯通的通孔，通孔内设置有下端伸出并抵至导电金属圈上的导电伸缩探针，导电伸缩探针上端伸出并连接有位于顶块上的正电极金属块，工艺容器内底部设置有负电极金属块。本发明在目标刻蚀晶圆上与导电密封圈接触的环形区域形成均匀的电流分布，提高了有效刻蚀面积，从而改善了现有电化学刻蚀技术均匀性较差的问题。

主权项：1.改善电化学刻蚀均匀性装置，其特征在于，包括顶端开口的工艺容器1，工艺容器1顶端架设有一底部向下伸入于工艺容器1内的容置槽2，容置槽2的底端开设有刻蚀口3，容置槽2内底端位于刻蚀口3外设置有导电金属圈4，导电金属圈4上同轴设置有用于放置目标刻蚀晶圆5的导电密封圈6，目标刻蚀晶圆5上方设置有顶块7，顶块7边缘开设有上下贯通的通孔，通孔内设置有下端伸出并抵至导电金属圈4上的导电伸缩探针8，导电伸缩探针8上端伸出并连接有位于顶块7上的正电极金属块9，工艺容器1内底部设置有负电极金属块10。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 改善电化学刻蚀均匀性装置

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