申请/专利权人：无锡市乾野微纳科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747602A

主分类号：H01L25/07

分类号：H01L25/07;H01L23/31;H01L23/538;H01L25/00;H01L21/56;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种具有多基岛结构的MOS管封装结构及工艺，涉及MOS管封装技术领域，包括组合式MOS管和塑封件，所述组合式MOS管包括组合式P型半导体结构、多对N型半导体、多个源极引脚结构、多个漏极引脚结构和多个栅极引脚结构，组合式P型半导体结构包括多个扇形基岛结构。本发明采用圆盘状的封装形式，对应的对于MOS管的组合形式进行了圆盘状的设计，解决传统直排式的封装来解决多个控制点的MOS管带来的直线尺寸过大的缺陷；多个扇形基岛结构对应的配置封装在一起，就可以独立的多个控制点进行通断控制，对于需三个以上MOS管进行电控通断的应用场景，多基岛结构的MOS管封装结构采用环形设计大幅缩减直线方向的体积占用。

主权项：1.一种具有多基岛结构的MOS管封装结构，其特征在于：包括组合式MOS管和塑封件10，所述组合式MOS管包括组合式P型半导体结构、多对N型半导体2、多个源极引脚结构3、多个漏极引脚结构4和多个栅极引脚结构5，组合式P型半导体结构包括多个扇形基岛结构11，多个扇形基岛结构11首尾连接组成圆盘状的组合式P型半导体结构，扇形基岛结构11的外侧设有一对N型半导体沟道，所述一对N型半导体2分别封装在扇形基岛结构11的一对N型半导体沟道处，与扇形基岛结构11组合形成PN结，所述源极引脚结构3与其中一个N型半导体2的顶面连接导通，所述漏极引脚结构4与另一个N型半导体2的顶面连接导通，所述栅极引脚结构5包括绝缘层51、场效应金属片52和栅极引脚53，所述绝缘层51的一面贴合安装在扇形基岛结构11的外侧面，并位于一对N型半导体沟道之间，所述场效应金属片52的一侧面贴装在绝缘层51的另一面，所述栅极引脚53与场效应金属片52的另一侧面连接导通；所述塑封件10将组合式MOS管的多个扇形基岛结构11之间进行封装绝缘，并将组合式P型半导体结构、多对N型半导体2、多个源极引脚结构3、多个漏极引脚结构4和多个栅极引脚结构5封装成一个圆盘状的整体，外圆引出多个源极引脚结构3、多个漏极引脚结构4和多个栅极引脚结构5，用于接入多通断控制点需求的控制电路。

全文数据：

权利要求：

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