申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2022-12-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747639A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L21/28

优先权：["20220922 JP 2022-151653"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有：半导体层；第一绝缘膜，设置于半导体层上；第一电极膜，设置于第一绝缘膜上；第二电极膜，设置于第一电极膜上；以及第一场板电极，设置于第二电极膜上，第一场板电极的下端相比于第一电极膜的与第一绝缘膜接触的第一面而位于第二电极膜侧的第二面。

主权项：1.一种半导体装置，具有：半导体层；第一绝缘膜，设置在所述半导体层上；第一电极膜，设置在所述第一绝缘膜上；第二电极膜，设置在所述第一电极膜上；以及第一场板电极，设置在所述第二电极膜上，所述第一场板电极的下端相比于所述第一电极膜的与所述第一绝缘膜接触的第一面而位于与所述第二电极膜侧的第二面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

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