申请/专利权人：珠海越芯半导体有限公司

申请日：2022-07-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115332220B

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L21/768;H01L23/488

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本申请公开了一种实现芯片互连封装结构及其制作方法，其中实现芯片互连封装结构包括核心层、连接桥层、第一介质层、第二介质层、第一焊盘层以及第二焊盘层；第一介质层设置于所述核心层的第一表面；第二介质层设置于核心层与第一表面相对的第二表面；第一介质层设置于核心层与第一焊盘层之间；第二介质层设置于第二焊盘层与核心层之间；第一焊盘层与核心层通过第一导孔连接；第二焊盘层与核心层通过第二导孔连接；连接桥层嵌埋于第一介质层中；连接桥层与核心层电气绝缘；连接桥层与第一焊盘层通过第三导孔连接。本实现芯片互连封装结构可以提高产品集成度和降低制作成本。本申请可广泛应用于集成电路技术领域内。

主权项：1.一种实现芯片互连封装结构制作方法，其特征在于，包括：形成核心层；在所述核心层的第一表面施加第一介质层；在所述核心层的第二表面施加第二介质层；所述第一介质层包括第一子介质层以及第二子介质层；在施加所述第一介质层过程中，将连接桥层嵌埋于所述第一介质层；具体包括：所述第一子介质层完全覆盖核心层的一侧表面，在所述第一子介质层的表面上放置所述连接桥，在所述第一子介质层和所述连接桥上设置所述第二子介质层，使所述第二子介质层完全覆盖所述第一子介质层以及所述连接桥的全部侧表面和顶表面；所述第一子介质层为粘性介质层；在所述第一介质层中形成第一导孔和第三导孔；所述第一导孔设置于在所述核心层与第一焊盘层之间，所述第三导孔设置于所述连接桥层与第一焊盘层之间；在所述第二介质层中形成第二导孔；在所述第一导孔和所述第三导孔上形成第一焊盘层，以及在第二导孔上形成第二焊盘层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 珠海越芯半导体有限公司 一种实现芯片互连封装结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD