申请/专利权人：浙江集迈科微电子有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117438457B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/06;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本发明提供一种凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法，包括衬底、外延叠层、凹槽栅结构、金属源极和金属漏极，外延叠层包括自下而上依次叠置的GaN沟道层和势垒层，凹槽栅结构包括自下而上依次叠置的GaN层、Al组分渐变的AlGaN层以及金属栅极；金属源极和金属漏极分别设置于贯穿势垒层而至GaN沟道层的开口中。本发明利用局域Al组分渐变AlGaN层产生高浓度的空穴，对栅下二维电子器的耗尽，实现增强型GaN基HEMT器件，Al组分渐变AlGaN层与P型GaN相比具有更大的禁带宽度，能够有效改善栅漏电，提高击穿电压，以及提升器件的可靠性。

主权项：1.一种凹槽栅型GaN基HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；外延叠层，位于所述衬底之上，所述外延叠层包括自下而上依次叠置的GaN沟道层和势垒层，所述势垒层上设置有自其表面向内部延伸的凹槽；凹槽栅结构，位于所述凹槽内，所述凹槽栅结构包括自下而上依次叠置的GaN层、Al组分渐变的AlGaN层以及金属栅极，所述Al组分渐变的AlGaN层具有沿其生长方向线性递减至零的Al组分变化；金属源极和金属漏极，所述金属源极和所述金属漏极分别设置于贯穿至所述GaN沟道层的开口中，所述金属源极和所述金属漏极分别与所述GaN沟道层形成欧姆接触，所述Al组分渐变的AlGaN层与所述金属栅极形成肖特基接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江集迈科微电子有限公司 凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法

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