申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2019-12-16

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111046565B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.05.15#实质审查的生效;2020.04.21#公开

摘要：本发明提供了一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法，首先针对两组分研磨液第一研磨粒子受力行为建立第一研磨粒子力平衡方程，获取研磨粒子在晶圆表面的嵌入深度，其次根据晶圆受力行为建立不同研磨粒子在晶圆表面嵌入深度间的内在关联，然后求解研磨粒子接触面积，再建立研磨粒子接触面积与晶圆表面研磨去除速率间函数关系，最终结合新建立的研磨去除率公式，建立一种两组分研磨粒子CMP研磨率优化方法和表面形貌仿真方法。

主权项：1.一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法，其特征在于，包括：步骤S1：进行第一研磨粒子晶圆表面嵌入深度的计算；在步骤S1中，第一研磨粒子受到晶圆对其塑性接触应力和研磨垫的弹性接触应力，二者处于力平衡状态，受力平衡方程为： 第一研磨粒子在研磨垫和晶圆表面的嵌入深度满足：Δw1+Δp1＝2R1；其中，R1为第一研磨粒子半径，Eps为第一研磨粒子与研磨垫间的复合杨氏模量，Δp1为第一研磨粒子在研磨垫中的嵌入深度，Hw为晶圆表面硬度，Δw1为第一研磨粒子在研磨材质中的嵌入深度；步骤S2：进行第二研磨粒子晶圆表面嵌入深度与直径比的计算，其中，所述第二研磨粒子晶圆表面嵌入深度是根据晶圆受力平衡方程计算得到的；步骤S3：进行两组分研磨粒子接触面积的计算；步骤S4：进行两组分研磨粒子研磨率的计算；在步骤S4中，研磨去除率与研磨粒子的接触面积成线性关系，第一研磨粒子的去除率如下： 第二研磨粒子的去除率如下： 其中，K为研磨常数；在步骤S4中，两组分研磨粒子的去除率如下： 步骤S5：两组分研磨粒子CMP体系研磨率优化；步骤S5分为如下两步进行：步骤S5-1：通过减小研磨粒子直径，增加研磨去除率；步骤S5-2：优化两种研磨粒子的浓度和大小，增加研磨去除率；步骤S6：晶圆表面形貌仿真。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种两组分研磨粒子CMP建模仿真方法

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