申请/专利权人：江苏昕感科技有限责任公司

申请日：2022-12-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116053122B

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/423;H01L21/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.05.19#实质审查的生效;2023.05.02#公开

摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括：对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底；对所述SiC衬底的表面进行预处理；对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂处理；根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底表面ALD沉积单晶硅薄膜；对所述单晶硅薄膜进行氧化处理获取栅氧化层。本申请提供的方法通过对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂、ALD沉积单晶硅薄膜，可改善沟道迁移率的同时提高栅氧化层的致密性及电性能；此外，根据所需栅氧厚度控制沉积单晶硅薄膜的厚度，控制单晶硅薄膜进行氧化使Si完全氧化并停在SiC表面形成栅氧化层，可解决SiCSiO2界面C残留和聚集以影响沟道载流子迁移率的问题。

主权项：1.一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底（1）；对所述SiC衬底（1）的表面进行预处理；通过氮等离子体、氢等离子体或氮等离子体与氢等离子体的组合对经过预处理的SiC衬底（1）表面进行钝化掺杂处理；根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底（1）表面ALD沉积单晶硅薄膜（2）；对所述单晶硅薄膜（2）进行氧化处理获取栅氧化层（3）；其中，在同一机台不同腔室链式完成对经过预处理的SiC衬底（1）表面进行钝化掺杂处理和在经过钝化掺杂处理的SiC衬底（1）表面ALD沉积单晶硅薄膜（2）；所述根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底（1）表面ALD沉积单晶硅薄膜（2）包括：根据生长一单位的栅氧化层所消耗的单晶硅薄膜（2），确定需要生长的栅氧化层厚度对应的单晶硅薄膜（2）厚度；根据需要生长的栅氧化层厚度对应的单晶硅薄膜（2）厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底（1）表面ALD沉积单晶硅薄膜（2）。

全文数据：

权利要求：

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