申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-04-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110391168B

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01L21/687

优先权：["20180423 JP 2018-082535"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2019.10.29#公开

摘要：本发明提供一种在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片的技术。载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起，在该载置台载置基片时，由吸引孔对与载置与上述载置台的基片的、位于上述突起的上方的区域不同的区域进行了吸引的状态下，将基片吸附在载置台，之后减小吸引孔的吸引。因此，能够在消除了基片的翘曲的状态下将基片载置在载置台，并且能够抑制因较强地吸引晶片W的下表面而产生的基片的形变，能够将基片以水平的姿态载置在载置台。

主权项：1.一种基片载置装置，其特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片，以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台，所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔，所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域，所述第一步骤中，载置于所述载置台的所述基片的所述第一区域和所述第二区域被吸附在所述载置台，以使得所述基片因利用所述第一吸引孔和所述第二吸引孔的吸引而发生形变，所述第二步骤中，吸引所述第二区域，并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力，以使得所述基片被吸附在所述载置台并且所述基片的形变被消除。

全文数据：基片载置装置和基片载置方法技术领域本发明涉及基片载置装置和基片载置方法。背景技术例如，在半导体制造工序中，将半导体晶片以下称为“晶片”等基片以水平的姿态载置到载置台，进行加热处理、冷却处理等处理。在专利文献1中，公开了作为这样的基片的载置台的真空吸附部件。该真空吸附部件包括：在与基片的背面相对的基体以支承该基片的周缘部的方式设置有环状凸部；和在基体的环状凸部所包围的区域配置有多个的、各自用于支承基片的背面的小柱凸部。另外，基体设置有：与基片的背面的中心部相对的吸引口；和相对于该吸引口形成为同心圆状的环状突起环状间隔壁部。而且，通过由吸引口进行吸引而在各环状突起与基片之间产生的伯努利效应，将基片吸引到基体并且将基片平坦化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-199790号公报发明内容发明要解决的技术问题本发明是基于这样的情况而完成的，提供一种当在载置台上载置基片时，以基片的平坦性变高的方式载置基片的技术。用于解决技术问题的技术手段本发明的基片载置装置的特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着所述第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。发明效果依照本发明，能够在载置台载置基片时，以水平的姿态载置基片。附图说明图1是表示涂敷显影装置的处理晶片的工序的流程图。图2是本发明的实施方式的冷却装置的纵截侧视图。图3是本发明的实施方式的冷却装置的俯视图。图4是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图5是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图6是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图7是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图8是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图9是表示本发明的实施方式的冷却装置的作用的说明图。图10是表示本发明的实施方式的基片载置装置的另一例的俯视图。图11是表示本发明的实施方式的基片载置装置的又一例的俯视图。图12是本发明的实施方式的PAB的纵截侧视图。图13是本发明的实施方式的PAB的俯视图。图14是表示涂敷显影装置的立体图。图15是表示涂敷显影装置的俯视图。图16是表示涂敷显影装置的纵截面图。图17是表示本发明的实施方式的基片载置装置的另一例的截面立体图。图18是表示实施例的晶片的高度随时间的变化的特性图。附图标记说明11第一吸引孔12第二吸引孔20载置台24间隔销W晶片。具体实施方式对将冷却装置CPL应用于本实施方式的基片载置装置中的例即冷却装置10进行说明，但首先使用图1，对设置有冷却装置10的涂敷显影装置1简单地进行说明。利用输送机构90将收纳于载体C的圆形的基片即晶片输送到冷却装置10，进行冷却使得晶片的面内的温度成为均匀的。之后，将晶片输送到抗蚀剂涂敷装置5，通过旋涂，将抗蚀剂涂敷从而形成抗蚀剂膜。为了在晶片的面内均匀地进行该抗蚀剂涂敷，利用上述的冷却装置10进行冷却。将涂敷有抗蚀剂的晶片输送到预烘焙pre-appliedbaking装置PAB6，进行加热处理预烘焙pre-baking处理，除去抗蚀剂膜中的溶剂。接着，将经预烘焙处理后的晶片输送到曝光装置D4以进行曝光处理。在曝光处理后，使晶片返回涂敷显影装置1，在曝光后烘焙装置PEB7中进行加热处理，在显影装置8中进行抗蚀剂膜的显影处理而后返回载体C。接着，说明上述的冷却装置10。图2、图3分别表示冷却装置10的纵截面图、俯视图。冷却装置10具有能够水平地载置晶片W的大致圆板形状的载置台20。载置台20以从下层侧开始依次层叠底板22、橡胶板23和上板21的方式构成。在载置台20的表面分散地形成有多个作为支承晶片W的突起的间隔销gappin24。利用该间隔销24进行支承，能够减小晶片W与载置台20的接触面积，并且如后所述从与该间隔销24不同的位置吸引晶片W。利用这样的构成，如后所述更容易在使作用于晶片W的吸引力减小时消除晶片W的翘曲。间隔销24的高度例如为0.05mm以上，0.1mm以下。此外，将由间隔销24形成的、晶片W的下表面与载置台20的表面的间隙设为24A。以其中心位于图3中的P1所示的载置台20的表面的中心位置的方式载置晶片W。因此，该位置P1是基片载置区域的中心，图3中的晶片W表示基片载置区域。另外，载置台20的表面的、与上述间隔销24不同的位置，形成有各自对载置于载置台20的晶片W的下表面进行吸引的第一吸引孔11和第二吸引孔12，它们各自在垂直上方开口。而且，在晶片W的下表面，与上述第一吸引孔11、第二吸引孔12相对的各区域第一区域、第二区域被吸引。第一吸引孔11在俯视时以载置台20的中心为中心的圆周上设置多个，将各第一吸引孔11设置成等分该圆周。此外，将晶片W的半径设为R时，在载置台20的表面，上述第一吸引孔11设置于以上述位置P1为中心的半径为13×R的圆与以位置P1为中心的半径为23×R的圆之间的环状区域内。因此，能够吸引晶片W中距中心13×R的位置与距中心半径的23×R的位置之间的区域。在俯视时以载置台20的中心P1为中心，比配置有第一吸引孔11的圆周靠载置台20的外周的圆周上，以等分该圆周的方式设置有多个第二吸引孔12。此外，分别通过图3中的第一吸引孔11、第二吸引孔12的圆R1、R2，是为了容易理解第一吸引孔11、第二吸引孔12各自的配置而假设的圆。各第一吸引孔11经由向下方去的气体流路13与沿第一吸引孔11的排列方向形成为环状的第一吸引路径15连接。第一吸引路径15与第一吸引管17的一端连接，第一吸引管17的另一端侧按照如下顺序经由压力计99、用于调节第一吸引管17中的排气流量的流量调节部M1和阀V1与排气机构19连接。另外，第二吸引孔12经由气体流路14与沿第二吸引孔12的排列方向形成为环状的第二吸引路径16连接。第二吸引路径16与第二吸引管18的一端连接，第二吸引管18的另一端侧经由压力计99、流量调节部M2和阀V2与排气机构19连接。第一吸引路径15、第二吸引路径16由形成于上板21的下表面的槽和橡胶板23的上表面构成。而且，将上述的第一吸引路径15、第二吸引路径16互相划分出来。因此，利用阀V1、V2的开闭，分别切换由第一吸引孔11、第二吸引孔12进行的吸引动作的开、关。另外，在该实施方式中，利用流量调节部M1、M2，使由第一吸引孔11进行吸引的期间的第一吸引管17的排气流量、由第二吸引孔12进行吸引的期间的第二吸引管18的排气流量各自为一定的。另外，载置台20具有与第一吸引路径15和第二吸引路径16划分开地设置的制冷剂流路25。制冷剂流路25例如与第一吸引路径15和第二吸引路径16同样，由上板21的下表面的槽和橡胶板23构成。制冷剂流路25与例如制冷单元等冷却机构26连接，以使冷却水等冷却介质在制冷剂流路25内流通，从而能够将载置台20的表面冷却至均匀的温度。另外，在载置台20的周缘部，设置有用于在载置台20与输送机构90之间交接晶片W的切口27。如图3所示，输送机构90在前端具有用于保持晶片W的保持部30。保持部30具有形成为大致C字形的C字形部分31。在C字形部分31的内周侧，4个保持钩32设置于将晶片W的周缘下表面保持在周向4个部位的位置。而且，切口27形成于与4个保持钩32分别对应的位置，升降保持部30，由此各保持钩32通过切口27。由此，能够在载置台20与保持部30之间进行晶片W的交接。另外，返回图2，冷却装置10包括控制部100。在控制部100安装有例如存储于软盘、硬盘、MO光磁盘和存储卡等存储介质的程序。所安装的程序发送用于进行如下动作的控制信号：由冷却装置10中的冷却机构26使冷却介质流通；通过开闭阀V1、V2来切换由第一吸引孔11、第二吸引孔12进行的吸引动作的开和关；通过流量调节部M1、M2进行调节来调节排气流量；和升降保持部30的升降。而且，编入有命令各步骤：步骤组，以使得控制后述的作用的说明中所给出的冷却装置10的动作。但是，有时在被输送到冷却装置10的晶片W发生翘曲。在图4中，表示在载置于水平面时以周缘部变得高于中心部的方式发生了翘曲的晶片W的例，但是，在晶片W发生的翘曲的状态是各种各样的。假设在产生了那样的翘曲的状态下，将晶片W支承在载置台20的间隔销24上进行冷却时，晶片W的面内的每一部位与载置台20的表面的距离不同，因此存在难以将晶片W的整个面均匀地冷却而形成冷却斑的可能性。即，存在冷却处理后的晶片W的面内各部的温度不同的可能性。此外，关于上述的专利文献1的装置，认为：翘曲较大时晶片W与载置台的距离间隔得较大而无法获得伯努利效应，因此，如上所述难以将具有翘曲的晶片W平坦地载置。已述的冷却装置10进行动作，以使得能够消除载置于载置台20的晶片W的翘曲，能够使该晶片W平坦化。并且，如后文所述，该冷却装置10进行动作，以使得消除晶片W的形变，晶片W的平坦性变得更高。以下，说明冷却装置10的动作。首先，如图4所示，晶片W在其由保持部30保持的状态下，位于制冷剂流通而被冷却的载置台20的上方。另外，第一吸引孔11和第二吸引孔12在停止吸引的状态下待机。接着，如图5所示，由第一吸引孔11和第二吸引孔12各自开始进行吸引。然后，进行保持的保持部30下降，将晶片W载置在载置台20上详细而言，为间隔销24上。对载置于载置台20的晶片W，由第一吸引孔11和第二吸引孔12各自进行吸引，从而较强的吸引力作用在该晶片W，消除在晶片W产生的翘曲，晶片W的下表面的各部与间隔销24密接。但是，如上所述由第一吸引孔11和第二吸引孔12各自进行吸引，由此晶片W的下表面与载置台20的表面之间的间隙24A的压力相对于该晶片W的上方区域的压力成为负压，并且上述的压力之差比较大。因此，在晶片W的面内未由间隔销24支承的部位与由间隔销24支承的部位相比，被吸引向载置台20的表面，晶片W起伏地变形，在晶片W发生形变和翘曲图6。接着，如图7所示，在由第二吸引孔12持续地进行吸引的状态下，停止由第一吸引孔11进行的吸引。由此，间隙24A的压力上升，该间隙24A的压力与晶片W的上方区域的压力之差变小。即，将晶片W向载置台20吸引的吸引力较弱，能够消除上述的晶片W的形变，能够将晶片W平坦化。此外，由于已经消除了晶片W的翘曲，因此上述的间隙24A变得比较小。因此，如上所述，停止利用第一吸引孔11进行的吸引，仅利用第二吸引孔12进行吸引，也能够使间隙24A的压力足够小，能够抵抗晶片W的恢复力而将该晶片W的面内各部吸引到载置台20，因此在仅利用第二吸引孔12进行吸引的期间，能够抑制在该晶片W再次产生翘曲。如此，能够将晶片W平坦化，因此能够将晶片W在其整个面与载置台20等距的状态下冷却。因此，在晶片W的面内不发生由于距载置台20的距离的不同而导致的冷却斑，能够以在晶片W的面内各部的温度的均匀性变高的方式进行冷却。之后，如图8所示，停止利用第二吸引孔12进行的吸引。在也不由第二吸引孔12进行吸引的状态下，将晶片W向下方吸引的吸引力不起到作用，因此，晶片W再次回到发生翘曲的状态。然后，如图9所示，利用输送机构90的保持部30，接收载置台20上的晶片W。之后，晶片W如上所述被输送到抗蚀剂涂敷装置5，进行抗蚀剂的涂敷处理。依照上述的实施方式，当将晶片W载置在冷却装置10的载置台20时，在由设置于载置台20的第一吸引孔11和第二吸引孔12进行了吸引的状态下，将晶片W载置在载置台20，之后在维持第二吸引孔12的吸引的状态下停止第一吸引孔11的吸引。因此，能够在消除了晶片W的翘曲的状态下将其载置在载置台20，并且能够抑制由于对晶片W的下表面进行较强地吸引而发生的晶片W的形变。因此，能够将晶片W平坦性高地载置在载置台20。但是，对停止由第一吸引孔11进行吸引的理由进行说明，该第一吸引孔11是在载置台20的中心部侧、周缘部侧分别开口的第一吸引孔11、第二吸引孔12中的第一吸引孔11。将以图4所示的周缘部变得高于中心部的方式翘曲的晶片W称为上翘曲晶片W载置在载置台20上，成为如上所述利用由第一吸引孔11和第二吸引孔12的吸引而矫正了翘曲的状态。该晶片W原本如上述那样翘曲，在载置台20上翘曲被矫正时周缘部所具有的恢复力较大。因此，假如对该晶片W的周缘部作用的吸引力大大减小时，因恢复力而该晶片W的周缘部从间隔销24浮起，在该周缘部的下方间隙24A的高度变大，气体容易从晶片W的周围流入到晶片W的下方。作为其结果，该间隙24A的压力上升，存在晶片W的翘曲恢复的问题。即，将上翘曲晶片W的周缘部持续地吸附在载置台20的间隔销24，需要对该周缘部持续地作用较大的吸引力，因此，持续由第二吸引孔12进行的吸引以持续地吸引晶片W的周缘部是有效的。相反，将以周缘部变得低于中心部的方式翘曲的晶片W称为下翘曲晶片W载置在载置台20上，成为如上述那样利用由第一吸引孔11和第二吸引孔12的吸引而矫正了翘曲的状态。在该情况下，假如对下翘曲晶片W的中央部作用的吸引力大大减小时，认为该晶片W的中央部因恢复力而从间隔销24浮起。但是，即使如上那样浮起，晶片W的周缘部也接近载置台20，因此能够抑制气体从晶片W的周围流入到晶片W的下方，故而能够抑制间隙24A中的压力的上升，将晶片W的面内各部持续的向载置台20吸引。因此，认为实际上能够抑制这样的晶片W的中央部的浮起，晶片W维持着翘曲被矫正的状态而保持在载置台20上。即，具有如下优点：停止第一吸引孔11和第二吸引孔12之中第一吸引孔11的吸引，由此即使所载置的晶片W为上翘曲晶片W、下翘曲晶片W的任一者，也能够可靠性高地抑制翘曲并且对晶片W作用适当的吸附力，以保持晶片W的翘曲被消除的状态。此外，上述的专利文献1的装置在吸附上翘曲晶片时，该晶片的中心部和载置台的距离较大，因此中心部难以被吸附。另外，认为与该晶片的中心部相比先吸附晶片的周缘部。然而，认为如上所述，由于晶片的周缘部先被吸附，在之后被吸附到载置台的中心部容易发生翘曲。此外，关于载置在载置台20的晶片W的翘曲量，例如可以为500μm以下比较大的翘曲量，载置台20能够消除具有这样的翘曲量的晶片W的翘曲。此外，该翘曲量是晶片W的最下部与最上部的高度之差，由晶片W的中心与周缘部的高度之差形成的情况较多。另外，不限于在由第一吸引孔11和第二吸引孔12进行了吸引的状态下，在将晶片W载置于载置台20后的步骤中，由第二吸引孔12进行了吸引的状态下，停止第一吸引孔11的吸引的构成，也可以在由第二吸引孔12进行了吸引的状态下，使第一吸引孔11的吸引量降低为比0大的量。即，如上所述，通过抑制晶片W下方的气压降低，能够抑制晶片W的形变、弯曲，因此也可以不停止第一吸引孔11的吸引。使来自第一吸引孔11的排气量小于来自第二吸引孔12的排气量即可。即，可以为控制流量调节部M1的动作，使得第一吸引孔11的吸引力小于第二吸引孔12的吸引力。另外，也可以为在由第一吸引孔11和第二吸引孔12进行了吸引的状态下，在将晶片W载置到载置台20后，降低第一吸引孔11的吸引力时，也降低第二吸引孔12的吸引力。如上所述，第一吸引孔11、第二吸引孔12分别分散地配置在载置台20的周向，由此晶片W被吸引到沿其周围的区域。如上所述被沿其周围的区域，由此在晶片W的面内使周向的各部的吸引力一致，能够更可靠地使晶片W平坦化。另外，如上所述，由第一吸引孔11、第二吸引孔12吸引的沿各周的区域，是以晶片W的中心为中心的同心圆的区域。如上所述，同心圆的区域被吸引，对于在晶片W的面内在径向各自离开的各部而言，容易调节吸引力，能够更可靠地实现晶片W的平坦化，故而优选此方式。但是，如上所述，为了吸引同心圆的区域，不限于将各第一吸引孔11和各第二吸引孔12分别配置为一列的情况。具体而言，在载置于载置台20的晶片W的下表面，如图10所示分别设定以该晶片W的中心P2中心的同心圆即区域R3、R4。R3、R4是彼此不重合的尺寸较宽的圆环。而且，第一吸引孔11、第二吸引孔12沿晶片W的周向分别设置5个以上，各第一吸引孔11以仅与区域R3、R4之中一者相对的方式开口，各第二吸引孔12以仅与另一者相对的方式开口时，包含第一吸引孔11、第二吸引孔12吸引同心圆的区域的情况。另外，第一吸引孔11、第二吸引孔12可以为隙缝状。而且，也可以为第一吸引孔11、第二吸引孔12各自形成为圆环状的隙缝，吸引以上述的中心P2为中心的同心圆的区域。另外，不限于与第二吸引孔12相比第一吸引孔11吸引晶片W的中心侧的构成。由于晶片W的翘曲、弯曲，可以为与第二吸引孔12相比第一吸引孔11吸引晶片W的周缘侧的构成。此外，也可以不为第一吸引孔11和第二吸引孔12在晶片W的径向排列的构成。图11中，将在载置台20的表面设置有多个第一吸引孔的区域表示为200A，将设置有多个第二吸引孔的区域表示为200B。如该图11所示，也可以为区域200A、200B在载置台20的周向交替地配置的构成。此外，在图11中，区域200A、200B各设置有2个，不过也可以设置有更多数量的区域200A、200B。另外，表示了设置有两个能够总体地控制吸引力的吸引孔组的例子，不过也可以仅设置一个这样的组。例如，在将晶片W交接到载置台20后，由该一个组吸引晶片W的背面，将晶片W吸附在载置台20。接着，减小该一个组的吸引力。在将晶片W吸附在载置台20前，晶片W与吸引孔的距离较长，因此需要较大的吸引力，但是，在将晶片W吸附到载置台20后，晶片W的翘曲已经被消除，上述的间隙24A变得比较小，即使减小吸引力也能够抑制该晶片W再次发生翘曲。如上所述，减小吸引力，不将多余的矫正力施加到晶片W，由此能够抑制发生晶片W的翘曲而导致的晶片W的面内各部分的应力的偏差，能够消除翘曲。另外，上述的基片载置装置也可以应用于图1中说明的PAB6或PEB7等加热装置。参照图12、图13，对将基片载置装置应用于PAB6的例子进行说明。图12是PAB6的纵截侧视图。PAB6具有壳体40，图中41是设置在壳体40的侧壁的晶片W的输送口。从输送口41观察，在壳体40内的里侧设置有水平地载置晶片W的载置台45。载置台45与载置台20大致相同地构成，以与载置台20怎样不同之处为中心进行说明。此外，图13是载置台45的上表面图。在载置台45的内部埋设有用于对载置于载置台45的晶片W进行加热的加热器46。另外，在载置台45，在周向等间隔地设置有贯通孔48，在各贯通孔48分别设置有升降销49。升降销49由设置于壳体40的底面的升降机构50进行升降而从载置台45的表面突出和没入。另外，从壳体40内部的输送口41观察，在跟前侧设置有用于载置并冷却加热后的晶片W的冷却板43，冷却板43由移动机构44在图12所示的待机位置与载置台45上之间水平地移动，作为进行单位区块E3的输送机构90与载置台45的交接的中介。输送机构90相对于待机位置的冷却板43进行升降，由此能够在该输送机构90与冷却板43之间交接晶片W。另外，通过升降销49的升降和冷却板43的移动的协同作用，在载置台45与冷却板43之间交接晶片W。在将晶片W载置到载置台45时，由第一吸引孔11和第二吸引孔12分别进行了吸引的状态下使支承晶片W的升降销49下降。之后，停止第一吸引孔11的吸引。由此，在能够将晶片W均匀性高地加热至平坦性高的状态。另外，本发明的基片载置装置也可以应用于冷却板43。另外，本发明的基片载置装置可以在将晶片W载置到载置台前开始进行吸引，也可以在载置后开始进行吸引。此外，可以为能够总体地进行吸引控制的吸引孔组设置3组以上。此外，在将本发明的基片载置装置应用到加热装置时，可以为对载置于载置台的基片从上方侧照射例如LED光来加热基片的加热装置。即，可以为在载置台未设置对基片进行温度调节的温度调节部的构成。此外，本发明的基片载置装置也可以应用于设置在冷却装置、加热装置以外的载置台。例如本发明的基片载置装置也可以应用在曝光装置中进行曝光处理时载置基片的载置台。将本发明的基片载置装置应用在曝光装置以能够抑制发生聚焦异常。或者，也可以为在能够利用旋涂对基片涂敷涂敷液的装置中，将本发明的基片载置装置应用在以水平的姿态保持基片并使其绕铅垂轴旋转的旋转卡盘。接着，对图1所示的涂敷显影装置1进行详细说明。图14、图15、图16分别是涂敷显影装置1的俯视图、立体图、概略纵截侧视图。该涂敷显影装置1通过将载体区块D1、处理区块D2、曝光装置D4连接的接口区块D3以直线状连接而构成。在以后的说明中，将区块D1～D3的排列方向设为前后方向。载体区块D1具有将载体C送入送出涂敷显影装置1内的作用，包括：载体C的载置台91；开闭部92；和用于从载体C经由开闭部92输送晶片W的移载机构93。处理区块D2以将对晶片W进行液处理的单位区块E1～E6从下依次层叠的方式构成。为了说明的方便，有时将在晶片W形成下层侧的防反射膜的处理称为“BCT”，将在晶片W形成抗蚀剂膜的处理称为“COT”，用于将在曝光后的晶片W形成抗蚀剂图案的处理称为“DEV”。在该例中，如图14所示，从下方起将BCT层、COT层、DEV层分别叠2层，在相同的单位区块中彼此并行地进行晶片W的输送和处理。在此，参照图15，说明单位区块之中作为代表的COT层E3。在从载体区块D1向接口区块D3去的输送区域94的左右的一侧，在前后方向配置多个PAB6，在另一侧设置有抗蚀剂涂敷装置5。其他的单位区块E1、E2、E5和E6，除了对晶片W供给的药液不同之外，与单位区块E3、E4同样地构成。单位区块E1、E2中替代抗蚀剂涂敷装置5而具有防反射膜形成装置，单位区块E5、E6具有显影装置8。如图16所示，在处理区块D2中的载体区块D1侧，设置有跨各单位区块E1～E6而上下延伸的塔T1和用于对塔T1交接晶片W的的可升降的交接臂95。此外，在图14中，各单位区块E1～E6的输送臂表示为F1～F6。塔T1由彼此层叠的多个组块构成，在单位区块E1～E6的各高度处设置的组块能够在该单位区块E1～E6的各输送臂F1～F6之间交接晶片W。作为设置在塔T1的组块，在例如与单位区块E1～E4对应的高度处设置有冷却装置冷却组块10。另外，在与单位区块E5、E6对应的高度处设置有交接组块TRS。接口区块D3具有跨单位区块E1～E6而上下延伸的塔T2、T3、T4。利用可升降的接口臂96对塔T2和塔T3进行晶片W的交接，利用可升降的接口臂97对塔T2和塔T4进行晶片W的交接。另外，在塔T2与曝光装置D4之间设置有用于交接晶片W的接口臂98。在塔T2，交接组块TRS等组块彼此层叠。另外，在塔T3、T4也分别设置有组块，但是在此省略说明。此外，在图1中，将移载机构93、交接臂95、输送臂F1～F6、接口臂96、接口臂97和接口臂98表示为输送机构90。在该涂敷显影装置1中，由载体C输送的晶片W被输送到处理区块D2，按防反射膜形成BCT层E1E2→抗蚀剂膜形成COT层E3E4的顺序输送，经由接口区块D3被输送到曝光装置D4进行曝光处理。在曝光装置D4中进行了规定的曝光处理后，返回处理区块D2。返回的晶片W在单位区块E5、E6DEV层中进行显影处理，在形成了图案掩模之后，回到载体C。另外，基片载置装置可以为利用静电吸盘来吸引晶片的构成。图17是将使用静电吸盘的载置台100的一部分截面而成的立体图。在圆形的载置台100的表面设置有第一静电吸盘101、第二静电吸盘102。第一静电吸盘101和第二静电吸盘102分别构成为以载置在载置台100的晶片W的中心部为中心的圆环状，第一静电吸盘101设置于载置台100的中心侧，第二静电吸盘102设置于载置台100的周缘侧。第一静电吸盘101和第二静电吸盘102各自具有绝缘部件103，在绝缘部件103，在载置台100的径向彼此隔开间隔地埋设有彼此直径的大小不同的圆环状的吸附电极105a、105b。第一静电吸盘101的吸附电极105a、吸附电极105b分别与直流电源109的负极、正极连接。第二静电吸盘102的电极105a、电极105b分别与直流电源110的负极、正极连接。对由第一静电吸盘101进行的晶片W的吸附进行说明。在晶片W载置于绝缘部件103的状态下，直流电源109成为ON，将在晶片W的下表面与吸附电极105a相对的第一部位、与吸附电极105b相对的第二部位分为正、负极，库伦力发挥作用。即，第一部位被吸引到吸附电极105a，第二部位被吸引到吸附电极105b，晶片W被吸附到绝缘部件103。对于第二静电吸盘102也同样，直流电源110成为ON从而吸附晶片W。关于该载置台100，例如与载置台20同样，以对晶片W的周缘部附近的位置和晶片W的周缘部附近的位置分别作用吸引力的方式进行动作。即，在刚刚载置了晶片W时，由静电吸盘101、102进行吸附，之后，静电吸盘101的直流电源109成为OFF，仅由静电吸盘102进行吸附。如以上所探讨的内容，本发明的实施方式所有的方面均是例示，不应认为有所限制。上述的实施方式在不脱离权利要求的范围及其主旨的情况下，可以以各种方式进行省略、置换、改变。实施例说明与本发明有关而进行的试验。使用与实施方式所示的冷却装置10同样地设置有各吸引孔11、12的冷却装置，在时刻t0由第一吸引孔11、第二吸引孔12进行吸引，在时刻t1将保持于保持部30的晶片W载置到载置台20时刻t1是晶片W与间隔销24接触的时刻。然后，在时刻t2，在由第二吸引孔12进行了吸引的状态下，停止第一吸引孔11的吸引，至时刻t3为止维持由第二吸引孔12进行了吸引的状态。在该一系列的载置晶片W的动作中，测量时刻t0～时刻t3的晶片W的周缘部和晶片W的中心部的高度位置的变化。图18的上部表示该结果，是表示晶片W的周缘部和晶片W的中心部的高度位置随时间变化的特性图。另外，中部的图和下部的图表示第一吸引孔11和第二吸引孔12的吸引的ON、OFF的流程图。如图18所示，实施例中使用的晶片W，在将其载置到载置台20前的时刻t0，晶片W的周缘部的高度位置比晶片W的中心部的高度位置高。之后，在时刻t1将晶片W载置到载置台20，晶片W的下表面由第一吸引孔11和第二吸引孔12吸引时，晶片W的周缘部的高度位置变低。即，晶片W的周缘部的翘曲量降低。然而，晶片W的中心部的高度位置也变低。能够确认。从该时刻t1至t2，晶片W呈起伏状地形变。另外，在时刻t2，在由第二吸引孔12进行了吸引的状态下，停止第一吸引孔11的吸引，由此，晶片W的中心部的高度位置变高，晶片W的周缘部的高度位置与晶片W的中心部的高度位置一致。此时也消除了晶片W的形变。之后，仅由第二吸引孔12进行吸引，但是，在时刻t2以后至时刻t3为止的期间，维持晶片W的周缘部的高度位置与晶片W的中心部的高度位置一致的状态，使晶片W平坦化。因此，可以认为，依照本发明的实施方式，在将晶片W载置到载置台20时，能够抑制晶片W的翘曲，将晶片W平坦化地载置。

权利要求：1.一种基片载置装置，其特征在于，包括：能够载置基片的载置台；多个突起，其设置在所述载置台的表面，各自支承所述基片；吸引孔，其在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口，用于吸引载置于所述载置台的基片的下表面；和控制部，其输出控制信号来执行：第一步骤，其由所述吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片，以将所述基片吸附在所述载置台；和第二步骤，其接着第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。2.如权利要求1所述的基片载置装置，其特征在于：所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔，所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域，所述第一步骤中，吸引载置于所述载置台的所述基片的所述第一区域和所述第二区域，以将所述基片吸附在所述载置台，所述第二步骤中，吸引所述第二区域，并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力。3.如权利要求2所述的基片载置装置，其特征在于：所述第二步骤中，使作用在第一区域的吸引力小于作用在第二区域的吸引力。4.如权利要求3所述的基片载置装置，其特征在于：以所述第一区域和第二区域各自成为沿基片的周向的区域的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。5.如权利要求4所述的基片载置装置，其特征在于：所述第一区域和第二区域是以所述基片的中心为中心的同心圆的区域，以该第一区域比第二区域靠该基片的中心的方式分别由所述第一吸引孔、第二吸引孔进行吸引。6.如权利要求5所述的基片载置装置，其特征在于：以所述第一区域成为距所述基片的中心13基片半径的位置与距该基片的中心23基片半径的位置之间的区域的方式由所述第一吸引孔进行吸引。7.如权利要求1至6中任一项所述的基片载置装置，其特征在于：所述载置台具有温度调节部，其用于进行所载置的基片的温度调节。8.一种基片载置方法，其特征在于，包括：在载置台载置基片的步骤，其中所述载置台在表面形成有各自支承基片的多个突起；第一步骤，其由在所述载置台的表面的与所述突起不同的位置开口的吸引孔吸引载置于所述载置台的所述基片的下表面；和第二步骤，其接着所述第一步骤，使作用在基片的吸引力小于在所述第一步骤中作用在基片的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。9.如权利要求8所述的基片载置方法，其特征在于：所述吸引孔包括第一吸引孔和第二吸引孔，所述第一吸引孔和所述第二吸引孔分别独立地吸引载置于所述载置台的基片的下表面的彼此不同的第一区域、第二区域，所述第一步骤中，由第一吸引孔、第二吸引孔吸附基片，以将所述基片吸附在所述载置台，所述第二步骤中，吸引所述第二区域，并且使作用在所述第一区域的吸引力小于在所述第一步骤中作用在该第一区域的吸引力，以将所述基片吸附在所述载置台。10.如权利要求9所述的基片载置方法，其特征在于：包括如下步骤：所述第二步骤中，使吸引第一区域的吸引力小于吸引第二区域的吸引力。11.如权利要求10所述的基片载置方法，其特征在于：包括如下步骤：以所述第一区域和第二区域各自成为沿基片的周向的区域的方式由所述第一吸引孔、第二吸引孔分别进行吸引。12.如权利要求11所述的基片载置方法，其特征在于：包括如下步骤：所述第一区域和第二区域是以所述基片的中心为中心的同心圆的区域，以该第一区域比第二区域靠该基片的中心的方式由所述第一吸引孔、第二吸引孔分别进行吸引。13.如权利要求12所述的基片载置方法，其特征在于，包括：包括如下步骤：以所述第一区域成为距所述基片的中心13基片半径的位置与距该基片的中心23基片半径的位置之间的区域的方式由所述第一吸引孔进行吸引。14.如权利要求8至13中任一项所述的基片载置方法，其特征在于：包括进行载置于所述载置台基片的温度调节的步骤。

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