申请/专利权人：日立能源有限公司

申请日：2020-11-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220651999U

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：在至少一个实施例中，功率半导体器件1包括：‑半导体主体2，以及‑在半导体主体2处的保护层3，其中‑保护层3包括具有至多为0.1mJm2的表面能的材料，并且‑保护层3包括几何结构化件33，在保护层3的俯视图中看，该几何结构化件具有至少0.04μm且至多0.1mm的特征尺寸F，该特征尺寸是指几何结构化件的周期性。

主权项：1.一种功率半导体器件1，其特征在于，包括：-半导体主体2，以及-在所述半导体主体2处的保护层3，其中-所述保护层3包括具有至多为0.1mJm2的表面能的材料，并且-所述保护层3包括几何结构化件33，在所述保护层3的俯视图中看，所述几何结构化件具有至少0.04μm且至多0.1mm的特征尺寸F，其中所述特征尺寸F是指所述几何结构化件33的周期性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日立能源有限公司 具有超疏水保护层的功率半导体器件及功率模块

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