申请/专利权人：北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院

申请日：2024-02-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747675A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括：漂移层，多个掺杂区和接触金属，其中漂移层位于衬底的一侧，漂移层具有第一掺杂类型；多个掺杂区位于漂移层中，各掺杂区包括一一对应接触的第一子掺杂区和第二子掺杂区，第二子掺杂区的掺杂浓度大于第一子掺杂区的掺杂浓度，掺杂区具有第二掺杂类型；接触金属位于第一表面上，接触金属与至少一个第二表面接触，接触金属与第二子掺杂区接触形成类欧姆接触，提高了肖特基二极管的高抗浪涌电流特性，本申请在未增加工艺步骤的前提下，通过提升掺杂区注入浓度使得第二子掺杂区的与接触金属之间形成类欧姆接触，从而在正向电压较大时，使肖特基二极管中的，体现出高抗浪涌电流特性。

主权项：1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：漂移层，位于肖特基二极管的衬底的一侧，所述漂移层具有第一表面，且所述漂移层具有第一掺杂类型；多个掺杂区，位于所述漂移层中，各所述掺杂区包括一一对应接触的第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第一子掺杂区位于所述第二子掺杂区背离所述第一表面的一侧，所述第二子掺杂区背离所述第一子掺杂区的一侧具有第二表面，所述第二子掺杂区的掺杂浓度大于所述第一子掺杂区的掺杂浓度，所述掺杂区具有第二掺杂类型；接触金属，位于所述第一表面上，所述接触金属与至少一个所述第二表面接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京怀柔实验室;北京智慧能源研究院 肖特基二极管及其制备方法

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