申请/专利权人：新阳硅密(上海)半导体技术有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117758344A

主分类号：C25D17/00

分类号：C25D17/00;C25D17/02;C25D21/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法，涉及晶圆电镀技术领域，一种晶圆缺口遮挡装置，其包括：转子环，所述转子环套设于晶圆的外部下方，转子环设置有多个南北极交错并沿晶圆的圆周位置均匀分布设置于晶圆径向方位的永磁体，所述转子环设置有能够位于晶圆的缺口正下方的遮挡部；电磁感应环，设置于转子环的外部，所述电磁感应环内设置有与所述永磁体对应的线圈组；位置传感器，所述位置传感器安装到工艺腔外缘和所述转子环遮挡部上。在本发明中，电磁感应环可以驱动转子环及遮挡部旋转，遮挡部可以遮挡晶圆的缺口处的电场边缘效应，减少了电场强度在晶圆的缺口附近过高的影响，提高了电镀的均匀性。

主权项：1.一种晶圆缺口遮挡装置，其特征在于，其包括：转子环，所述转子环套设于晶圆的外部的下方，所述转子环设置有多个南北极交错并沿所述晶圆的圆周均匀分布的设置于径向方位的永磁体，所述转子环设置有能够位于所述晶圆的缺口正下方的遮挡部；电磁感应环，所述电磁感应环设置于所述转子环的外部，所述电磁感应环内设置有与所述永磁体对应的线圈组，所述电磁感应环用于驱动所述转子环悬浮且旋转；第一定位传感器，所述第一定位传感器安装到晶圆电镀工艺腔外缘，所述第一定位传感器用于定位所述晶圆的缺口的零点位置；第二定位传感器，所述第二定位传感器设置于所述第一定位传感器的下部，用于搜索所述遮挡部并定位所述零点位置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法

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