申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766588A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/08;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提出了一种具有延伸漏结构的超结双SOI‑LDMOS器件及制造方法，该器件包括：位于第二埋氧层上的第二SOI层，包括半导体区和半导体延伸漏接触区；位于第一埋氧层上的第一SOI层，包括体接触区、源区、漏区以及漂移区；漏极金属，其中漏极金属的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层接触，其下表面与半导体延伸漏接触区的上表面；漏极金属的第二部分与半导体漏区的上表面接触。本发明在器件导通时利用第二SOI层中交替排列的第一半导体区和第二半导体区和延伸漏结构，使得第一SOI层漂移区表面感应出多数载流子，降低了比导通电阻；也在器件关断时改善了漂移区的势场分布从而提高了击穿电压。

主权项：1.一种具有延伸漏结构的超结双SOI-LDMOS器件，其特征在于，包括：衬底（1）；第二埋氧层（2），位于衬底（1）上；第二SOI层，位于第二埋氧层（2）上，其包括：半导体区，包括平行设置且掺杂类型不同的第一半导体区（4）和第二半导体区（5）；所述第一半导体区（4）平行于器件横向的一侧面，与第二半导体区（5）平行于器件横向的一侧面接触；半导体延伸漏接触区（3），其平行于器件纵向的一侧面，与半导体区平行于器件纵向的一侧面接触；第一埋氧层（6），位于第二SOI层上；第一SOI层，位于第一埋氧层（6）上，包括半导体体接触区（7）、半导体源区（8）、半导体漏区（9）以及所述半导体体接触区（7）与半导体漏区（9）之间的漂移区；所述半导体漏区（9）靠近半导体体接触区（7）设置；所述半导体源区（8）平行于器件纵向的一侧面与所述半导体体接触区（7）接触；所述漂移区包括平行设置的第三半导体区（15）和第四半导体区（16）；其中，所述第三半导体区（15）平行于器件横向的一侧面，与第四半导体区（16）平行于器件横向的一侧面接触；所述第三半导体区（15）与第一半导体区（4）的掺杂类型相同；所述第四半导体区（16）与第二半导体区（5）的掺杂类型相同；漏极金属（13），漏极金属（13）的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层（6）接触，其下表面与半导体延伸漏接触区（3）的上表面；另漏极金属（13）的第二部分与半导体漏区（9）的上表面接触；绝缘介质层（14），置于漏极金属（13）的第一部分和第二部分之间，且与半导体漏区（9）接触；源极金属（10），与半导体源区（8）的上表面接触；及栅极金属（11），与源极金属（10）之间形成间隙，其置于栅氧化层（12）上，栅氧化层（12）同时与半导体体接触区（7）、半导体源区（8）以及漂移区的上表面接触。

全文数据：

权利要求：

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