申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790655A

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底、GaAs‑buffer层、腐蚀截至层、N侧欧姆接触层、电流扩展层、AlInP限制层、MQW发光层、AlInP限制层和GaP层，所述AlInP限制层的顶部设有GaP接触层，所述GaP接触层的顶部设有GaP电流横向扩展层，所述GaP电流横向扩展层的顶部设有高速GaP层。该具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法，通过在AlGaInP过渡层上生长三层GaP：GaP接触层、高低掺间隔GaP层和高速GaP层，高低掺间隔GaP的掺杂量差1E18，使电流在高掺层尽可能走的更远，从而实现更加充分的电流扩展，提高发光亮度、提升亮度均匀性、改善老化，且可以减薄GaP的生长厚度，降低成本。

主权项：1.一种具有高亮度红黄光mini外延片，包括GaAs衬底L11、GaAs-buffer层L10、腐蚀截至层L09、N侧欧姆接触层L08、电流扩展层L07、AlInP限制层L06、MQW发光层L05和AlInP限制层L04，所述GaAs衬底L11的顶部连接有GaAs-buffer层L10，所述GaAs-buffer层L10的顶部连接有腐蚀截至层L09，所述腐蚀截至层L09的顶部连接有N侧欧姆接触层L08，所述N侧欧姆接触层L08的顶部设有电流扩展层L07，所述电流扩展层L07的顶部设有AlInP限制层L06，所述AlInP限制层L06的顶部设有MQW发光层L05，所述MQW发光层L05的顶部设有AlInP限制层L04，其特征在于：所述AlInP限制层L04的顶部设有GaP接触层L03，所述GaP接触层L03的顶部设有GaP电流横向扩展层L02，所述GaP电流横向扩展层L02的顶部设有高速GaP层L01，所述GaP电流横向扩展层L02由高掺层和低掺层组成，且所述GaP电流横向扩展层L02的顶端和底端均为高掺层，两个高掺层的内侧为低掺层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种具有高亮度红黄光mini外延片及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD