申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司

申请日：2024-02-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790579A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供一种LDMOS结构以及制备方法，LDMOS结构包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于漂移区中的漏极、位于体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，氧化层位于漂移区上方，凹槽位于体区，凹槽和氧化层相邻设置，凹槽的部分延伸至漂移区和体区之间的间隙中，漏极和源极分别位于凹槽和氧化层的外侧，栅氧层覆盖凹槽的底壁和侧壁，多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，凹槽能够合理的分散多晶硅栅极两侧的电场，使得反型沟道合理的沿多晶硅栅极分布；多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，可以提高击穿电压，并缩短LDMOS结构的尺寸。

主权项：1.一种LDMOS结构，包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于所述漂移区中的漏极、位于所述体区中的源极，其特征在于，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，所述氧化层位于所述漂移区上方，所述凹槽位于所述体区，所述凹槽和氧化层相邻设置，所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中，所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种LDMOS结构以及制备方法

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