申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790538A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：一种GaNHEMT器件及其制备方法，GaNHEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极结构、栅极结构、P‑GaN钝化层、漏极结构、第一钝化层和第二钝化层。衬底、缓冲层、沟道层和势垒层由下至上依次层叠设置，源极结构、栅极结构、P‑GaN钝化层和漏极结构依次间隔设置在势垒层上，第一钝化层覆盖在势垒层表面，第二钝化层覆盖在P‑GaN钝化层和第一钝化层上。其中，P‑GaN钝化层的材料为P‑GaN，P‑GaN钝化层的厚度小于或等于设定厚度。使用P‑GaN作为钝化材料，可以抑制电流崩塌，小于或等于设定厚度的P‑GaN钝化层对沟道内的二维电子气的影响也会降到最低。

主权项：1.一种GaNHEMT器件，其特征在于，包括：由下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；依次间隔设置在所述势垒层上的源极结构、栅极结构、P-GaN钝化层和漏极结构，其中，所述P-GaN钝化层的材料为P-GaN，所述P-GaN钝化层的厚度小于或等于设定厚度；覆盖在所述势垒层表面的第一钝化层；以及覆盖在所述P-GaN钝化层和所述第一钝化层上的第二钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 GaN HEMT器件及其制备方法

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