申请/专利权人：重庆邮电大学

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810192A

主分类号：H01L23/492

分类号：H01L23/492;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种硅基微孔金刚石衬底氮化镓晶圆及键合方法，包括由下至上依次层叠设置的金刚石薄膜层、中间键合硅层和氮化镓有源层，所述中间键合硅层具有通孔的中间键合介质层，所述金刚石薄膜层为晶圆散热层，所述氮化镓有源层为晶圆有源层，本申请用于提高金刚石与氮化镓晶圆的键合强度，增大氮化镓器件沟道中热量传导于金刚石衬底上，通过提高晶圆尺寸减小键合成本，键合金刚石与氮化镓晶圆成品率可得到有效提高。

主权项：1.一种硅基微孔金刚石衬底氮化镓晶圆，其特征在于，包括由下至上依次层叠设置的金刚石薄膜层、中间键合硅层和氮化镓有源层，所述中间键合硅层具有通孔的中间键合介质层，所述金刚石薄膜层为晶圆散热层，所述氮化镓有源层为晶圆有源层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学 一种硅基微孔金刚石衬底氮化镓晶圆及键合方法

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