申请/专利权人：鸿扬半导体股份有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810245A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/335;H01L29/772

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供一种晶体管结构和其形成方法，晶体管结构包括半导体堆叠、栅极结构及导电元件。半导体堆叠包括位于基板上方的飘移层、位于飘移层中的第一掺杂区域，及位于飘移层中且邻接第一掺杂区域的空乏区。飘移层具有第一导电类型，第一掺杂区域具有第二导电类型。栅极结构位于半导体堆叠上且覆盖空乏区。导电元件位于空乏区中且包括金属层，其中金属层的顶表面接触栅极结构的底表面。由于导电元件降低空乏区中的阻值，使得半导体堆叠中的导电路径整体阻值下降，因此导电元件可提升晶体管结构的电流强度、改善装置效能表现。

主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：半导体堆叠，包括：飘移层，位于基板上方，其中该飘移层具有第一导电类型；第一掺杂区域，位于该飘移层中，其中该第一掺杂区域具有第二导电类型；及空乏区，位于飘移层中且邻接该第一掺杂区域；栅极结构，位于该半导体堆叠上，其中该栅极结构覆盖该空乏区；及导电元件，位于该空乏区中，其中该导电元件包括金属层，该金属层的顶表面接触该栅极结构的底表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 鸿扬半导体股份有限公司 晶体管结构和其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD