申请/专利权人：包头美科硅能源有限公司;云南美科新能源发展有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802585A

主分类号：C30B33/10

分类号：C30B33/10;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种单晶籽晶清洗方法。本发明结合对硝酸溶液与氢氟酸溶液的体积比的控制、对腐蚀槽摆动角度和摆动速度的控制，对使用后表面发彩、发白的籽晶进行腐蚀清洗，以实现提高籽晶表面质量的目的，避免了籽晶表面整体腐蚀不均匀的问题，且通过对单次腐蚀时间和冷却过程时间的控制，避免了籽晶过度腐蚀的问题，提高了籽晶的使用寿命。

主权项：1.一种单晶籽晶清洗方法，其特征在于，包括：步骤S1：使用清水冲洗籽晶，并依次用无水乙醇和四氯化碳擦拭所述籽晶；步骤S2：将硝酸溶液与氢氟酸溶液按照5-8:1的体积比混合，配备腐蚀液；步骤S3：将装有籽晶的工装放入已经加好所述腐蚀液的腐蚀槽中，并以45°-90°的摆动角度和每分钟不低于40次的摆动速度左右摆动，进行单次腐蚀；其中，单次腐蚀时间为180-240秒；步骤S4：待所述籽晶表面洁净且呈金属光泽后，将所述工装由所述腐蚀液中提出，并放入纯水槽中摇动冷却；步骤S5：将所述籽晶由纯水槽中取出，进行检查和漂洗操作；步骤S6：待所述籽晶干燥后对所述籽晶表面质量以及尺寸进行检验。

全文数据：

权利要求：

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