申请/专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司;国网河南省电力公司电力科学研究院;国网河南省电力公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810270A

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种波浪基区结构半导体器件，包括由上至下依次排列的门极p+区、p‑基区和n‑长基区，n‑长基区中心部分向上凸起，p‑基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n‑长基区中心处上凸起的部分相适配，使p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状；本发明的有益效果是：p‑基区与n‑长基区的交界面呈波浪状，提高了器件关断时载流子抽取速度，增强了器件关断能力，有利于提升器件安全工作能力，且本工艺采用整面掺杂+局部去除的方式，利于提高径向掺杂参数均匀性，提高产品性能，同时降低技术门槛和生产成本，以较小的技术、经济代价实现设计目的。

主权项：1.一种波浪基区结构半导体器件，其包括由上至下依次排列的门极p+区、p-基区和n-长基区，其特征在于：所述的n-长基区中心部分向上凸起，p-基区下表面的中心处设置有凹陷，凹陷与n-长基区中心处上凸起的部分相适配，使p-基区与n-长基区的交界面呈波浪状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司;国网河南省电力公司电力科学研究院;国网河南省电力公司 一种波浪基区半导体器件及其制造方法

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