申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810064A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种Ga2O3SiC复合衬底及其制备方法，属于半导体器件制造技术领域，解决了现有工艺剥离温度高、剥离时间长的问题。该制备方法包括：从体Ga2O3的表面向内注入离子；将注入离子后的体Ga2O3热退火；重新向体Ga2O3的表面向内注入离子至指定深度；将体Ga2O3的离子注入面与SiC的待键合面进行表面活化处理，之后将体Ga2O3的离子注入面与SiC的待键合面进行键合，得到体Ga2O3SiC复合材料；对体Ga2O3SiC复合材料进行高温加固热退火；对体Ga2O3SiC复合材料进行退火，以实现Ga2O3薄膜从体Ga2O3上剥离；对SiC上Ga2O3薄膜表面进行光滑化。

主权项：1.一种Ga2O3SiC复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：从体Ga2O3的表面向内注入离子至指定深度，形成距离体Ga2O3的表面具有一定深度的预埋层；步骤2：将注入离子后的体Ga2O3热退火；步骤3：重新从体Ga2O3的表面向内注入离子至指定深度；步骤4：将体Ga2O3的离子注入面与SiC衬底的待键合面进行离子束光滑处理，将体Ga2O3的离子注入面与SiC衬底的待键合面进行键合，得到体Ga2O3SiC复合材料；步骤5：对体Ga2O3SiC复合材料进行加固热退火；步骤6：对体Ga2O3SiC复合材料进行退火，实现Ga2O3薄膜层从体Ga2O3上剥离；步骤7：对SiC衬底上Ga2O3薄膜层表面进行光滑化。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种Ga₂O₃/SiC复合衬底及其制备方法

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