申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-10-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111106174B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06

优先权：["20181029 KR 10-2018-0130032"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.09.17#实质审查的生效;2020.05.05#公开

摘要：一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在基板上并沿第一方向延伸；与有源区相邻的器件隔离层；设置在有源区中的栅极结构，该栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触栅极结构的端部；以及杂质区，设置在栅极分离图案下方并在器件隔离层上。

主权项：1.一种半导体器件，包括：基板；有源区，设置在所述基板上并沿第一方向延伸；器件隔离层，与所述有源区相邻；栅极结构，设置在所述有源区上，所述栅极结构沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸并覆盖所述器件隔离层的一部分；栅极分离图案，接触所述栅极结构的端部；和杂质区，设置在所述栅极分离图案下方并在所述器件隔离层上，其中所述杂质区具有比所述器件隔离层低的蚀刻速率，其中所述器件隔离层在剖视图中围绕所述杂质区的底表面和至少两个侧表面，并且所述杂质区的顶表面与所述栅极分离图案接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 包括功能层的半导体器件及其制造方法

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