申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112614807B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/538

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.06#公开

摘要：本公开实施例公开了一种晶圆键合方法及键合晶圆，所述方法包括：在第一衬底的表面的第一绝缘层，形成第一导电柱；形成覆盖第一导电柱的导电的第一连接层；其中，第一连接层的晶粒尺寸小于第一导电柱的晶粒尺寸；在第二衬底的表面的第二绝缘层中，形成第二导电柱；形成覆盖第二导电柱的导电的第二连接层；其中，第二连接层的晶粒尺寸小于第二导电柱的晶粒尺寸；键合第一连接层和第二连接层，形成第一晶粒融合层。

主权项：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：在位于第一衬底的表面的第一绝缘层中，形成第一导电柱；形成覆盖所述第一导电柱的导电的第一连接层；其中，所述第一连接层的晶粒尺寸小于所述第一导电柱的晶粒尺寸，所述第一连接层的表面具有第一凹陷区域；在所述第一凹陷区域中形成第一填充层；其中，所述第一填充层的晶粒尺寸小于所述第一导电柱的晶粒尺寸；在位于第二衬底的表面的第二绝缘层中，形成第二导电柱；形成覆盖所述第二导电柱的导电的第二连接层；其中，所述第二连接层的晶粒尺寸小于所述第二导电柱的晶粒尺寸；键合所述第一连接层和所述第二连接层，形成第一晶粒融合层；键合所述第一填充层和所述第二连接层，形成第二晶粒融合层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 晶圆键合方法及键合晶圆

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