买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明授权】MEMS麦克风及其制备方法_瑶芯微电子科技(上海)有限公司_202210418883.2 

申请/专利权人:瑶芯微电子科技(上海)有限公司

申请日:2022-04-20

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN114640934B

主分类号:H04R19/04

分类号:H04R19/04;H04R31/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2022.07.05#实质审查的生效;2022.06.17#公开

摘要:本发明提供一种MEMS麦克风的制备方法,包括步骤:提供衬底,形成第一牺牲层;于第一牺牲层中形成第一凹凸结构和第二凹槽;形成振膜材料层;形成第二牺牲层,于第二牺牲层中形成第三凹槽;于第二牺牲层上形成背极材料层,刻蚀出第四凹槽和用于形成背极阻挡块的第五凹槽;形成光刻胶层,对光刻胶层进行110‑180℃的高温处理,以使光刻胶层部分融化,使得光刻胶层在拐角处变平缓;于第二牺牲层中形成引线槽;于背极材料层上形成背板材料层,进行光刻刻蚀以形成背板结构;形成背极引线和形成振膜引线;刻蚀出空腔;进行刻蚀,以释放出振膜结构、背极结构和背板结构。本发明可以有效改善背板的应力分布,提升背板机械强度和MEMS麦克风的可靠性。

主权项:1.一种MEMS麦克风的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,于所述衬底的正面形成第一牺牲层;对所述第一牺牲层进行光刻刻蚀,以于所述第一牺牲层中形成对应振膜的第一凹凸结构和第二凹槽,第二凹槽位于第一凹凸结构外侧,且显露出所述衬底;采用保形沉积于所述第一牺牲层上形成振膜材料层,填充于第一凹凸结构内的振膜材料层构成振膜的褶皱结构,填充于第二凹槽内的振膜材料层构成振膜支架,于所述振膜材料层中形成显露出第一牺牲层的泄气孔;形成覆盖振膜材料层的第二牺牲层,于所述第二牺牲层中形成对应背极阻挡块的第三凹槽;于所述第二牺牲层上形成背极材料层,于背极材料层中刻蚀出用于形成进声孔的第四凹槽和用于形成背极阻挡块的第五凹槽,第五凹槽和第三凹槽上下一一对应连通,第四凹槽显露出第二牺牲层;于背极材料层上形成光刻胶层,对光刻胶层进行110-180℃的高温处理,以使光刻胶层部分融化,使得光刻胶层在拐角处变平缓;依光刻胶层对第二牺牲层进行光刻刻蚀,以于第二牺牲层中形成显露出振膜结构的引线槽,之后去除残余的光刻胶层;于背极材料层上形成背板材料层,对所述背板材料层进行光刻刻蚀以形成背板结构,且显露出所述引线槽,所述背板结构包括背板、背极阻挡块和支撑结构,背板位于背极表面,背极阻挡块自背极表面沿纵向延伸到背极下方,支撑结构自背极表面延伸到衬底表面;形成背极引线和于所述引线槽中形成振膜引线;于所述衬底背面刻蚀出贯穿衬底的空腔;对第一牺牲层和第二牺牲层进行刻蚀,以释放出振膜结构、背极结构和背板结构。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 MEMS麦克风及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。