申请/专利权人：青禾晶元(天津)半导体材料有限公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117133637B

主分类号：H01L21/04

分类号：H01L21/04;H01L29/16;H01L21/683

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.12.15#实质审查的生效;2023.11.28#公开

摘要：本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合，形成键合体；对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm，极差小于0.5mm，有效使用面积大于碳化硅复合衬底边缘向内排除2mm后的面积。衬底尺寸越大，本发明制备的复合衬底的有效使用面积占比越大，技术效果越显著。

主权项：1.提升碳化硅复合衬底有效面积的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）将碳化硅供体材料与支撑层连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；（2）对所述连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；所述边缘倒角的深度位于所述供体衬底碳化硅供体材料层以下，支撑层中心线以上；（3）在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；（4）将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底进行键合，形成键合体；所述键合采用分区加压控制方式进行；分区至少为2个，其中：区域1的外边界直径≥碳化硅衬底直径的50%；区域2的内边界直径≤区域1的外边界直径且不高于碳化硅衬底直径的80%；区域2的外边界直径≥碳化硅衬底直径；对区域1和区域2依次施加压力，施加压力的中心为碳化硅衬底的几何中心；对区域2施加的压力≥对区域1施加的压力；对区域2施加压力的时间≥对区域1施加压力的时间；（5）键合体裂片，对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底；（6）剩余供体衬底返回步骤（3）中重复利用；所述碳化硅供体材料中的微管、位错、碳包裹缺陷密度小于碳化硅衬底中的微管、位错、碳包裹缺陷密度。

全文数据：

权利要求：

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