申请/专利权人：信越化学工业株式会社

申请日：2017-05-12

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN107403720B

主分类号：H01L21/26

分类号：H01L21/26

优先权：["20160512 JP 2016-095854"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2019.03.12#实质审查的生效;2017.11.28#公开

摘要：本发明所要解决的问题在于，提供一种晶片加工体，其即使在形成有电路的晶片上形成小于100nm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。本发明的技术方案是一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层B，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层B含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。

主权项：1.一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片的所述凹凸和或保护有机膜层A上，形成有小于100nm的膜厚的有机膜层B，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层B含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。

全文数据：晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法技术领域[0001]本发明涉及一种晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法。背景技术[0002]至今为止，在半导体中，当形成器件晶片devicewafer的电路时，其电路线宽的微细化继续进展的结果，开始形成十纳米左右的线路，为了形成该线路而使用的光阻材料的涂布膜厚也逐渐薄膜化。对于这些光阻材料的膜厚测量，是使用了椭圆偏振仪ellipsometer等光学式膜厚测量装置，但这些方法即使可以使用于被涂布在平坦性高的硅晶片上的膜厚的测量，在已形成有电路且存在具有凹凸的表面、和作为基底的其他有机膜的情况下，也难以确认已形成于该表面的薄膜的成膜状态。[0003]此外，相较于用于形成电路的光阻材料等，“再配线工序”所使用的再配线材料、和为了使用用以进行半导体的三维安装的娃通孔TSV:throughsiliconvia而进行磨削的工序以及形成配线的工序所使用的暂时接合材料参照例如专利文献1等的膜厚较厚，利用剖面观察等方法也能够确认膜的形成状态，所述“再配线工序”是在形成有电路的晶片上进一步形成线路，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜，所述磨削的工序是对形成有电路的器件晶片的背面进行磨削，所述形成配线的工序是在电路形成面的背面形成配线。[0004]但是，并未存在以下方法:在形成有电路的晶片上形成小于IOOnm的薄膜，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为有机膜的基底，在这个情况下，非破坏性且简便地确认薄膜的覆盖性，并制造薄膜晶片。[0005]现有技术文献[0000]专利文献[0007]专利文献1:日本特开2013-48215号公报。发明内容[0008]本发明是有鉴于上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种晶片加工体及其制造方法、以及晶片上的有机膜的覆盖性确认方法，所述晶片加工体即使在形成有电路的晶片上形成小于IOOnm的薄膜的情况下，也能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认该薄膜的覆盖性，所述晶片存在具有凹凸的表面和作为基底的有机膜。[0009]为了解决上述问题，本发明中提供一种晶片加工体，其在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上，形成有小于IOOnm的膜厚的有机膜层B，所述晶片加工体的特征在于，[0010]前述有机膜层⑻含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。[0011]如果是这种晶片加工体，则对形成有上述有机膜层B的上述晶片照射紫外光，能够根据此时的发光状态来确认上述有机膜层⑻的覆盖性，且能够利用对晶片非破坏性地确认发光这样的简便的方法，并且能够通过能再利用晶片的方法，确认小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻的覆盖性，所述有机膜层B形成于表面形成有凹凸的晶片、形成有保护有机膜层A的晶片或形成有这两者的晶片上。[0012]此外，前述表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片可以是形成有电路的器件晶片。[0013]—般来说，如上所述的器件晶片是昂贵的，人们期待一种非破坏性、简便且能再利用晶片的确认方法，因此制成本发明的晶片加工体是更合适的。[0014]此外，前述形成的小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻可以是旋转涂布膜。[0015]旋转涂布膜是利用旋转涂布法形成的膜，但尤其在旋转涂布法中，小于IOOnm这样的极薄的膜厚，如果是表面具有凹凸的状态，形成在其周边后的膜厚有可能产生不均，或有可能存在没有形成的部分，因此如果是为了确认这样的膜厚不均和漏涂的目的，则能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0016]此外，优选为，前述有机膜层⑻形成为5〜50nm的膜厚。[0017]如果膜厚为IOOnm以上，则会产生干涉条纹，因此也能够在可见光下目视确认，但膜厚小于l〇〇nm、尤其膜厚为50nm以下，则难以在可见光下目视确认，因此能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0018]此外，前述有机膜层⑻可以包含热塑性有机聚硅氧烷聚合物，来作为除前述荧光剂以外的含有成分。[0019]尤其在上述热塑性有机聚硅氧烷聚合物的情况下，玻璃化转变温度低且在常温下具有流动性，因此难以通过分割晶片并进行剖面观察，来确认有机膜的覆盖性，因此能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0020]此外，优选为，前述荧光剂为荧光增白剂。[0021]如果荧光剂为荧光增白剂，则易于目视确认发光，因此优选，能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0022]进一步地，本发明中提供一种晶片上的有机膜的覆盖性确认方法，其在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上，形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻时，确认前述晶片上的前述有机膜层⑻的覆盖性，所述覆盖性确认方法的特征在于，[0023]将前述有机膜层⑻制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，[0024]并且，对形成有前述有机膜层⑻的前述晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认前述有机膜层⑻的覆盖性。[0025]如果是这样的有机膜的覆盖性确认方法，则能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认有机膜的覆盖性。[0026]进一步地，本发明中提供一种晶片加工体的制造方法，其包含在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻的工序，所述制造方法的特征在于，[0027]将前述有机膜层⑻制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。[0028]如果是这样的晶片加工体的制造方法，则能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认有机膜的覆盖性。[0029]此外，优选为，在前述形成有机膜层⑻的工序后，包含以下工序:对形成有前述有机膜层⑻的前述晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认前述有机膜层⑻的覆盖性。[0030]通过进行这样的确认工序，能够简便地对未形成有机膜层⑻的地方进行确认。[0031]如果是本发明的晶片加工体，则对形成有上述有机膜层B的上述晶片照射紫外光，能够根据此时的发光状态来确认上述有机膜层⑻的覆盖性，且能够利用对晶片非破坏性地确认发光这样的简便的方法，并且能够通过能再利用晶片的方法，确认小于IOOnm的膜厚的有机膜层B的覆盖性，所述有机膜层⑻形成于表面形成有凹凸的晶片、形成有保护有机膜层A的晶片或形成有这两者的晶片上。附图说明[0032]图1是表示本发明的晶片加工体的一个例子的剖面示意图。[0033]图2是表示裸硅晶片上形成有有机膜层⑻的剖面示意图。[0034]其中，附图标记说明如下：[0035]10晶片加工体；[0036]11、21晶片；[0037]12保护有机膜层㈧；[0038]13、23有机膜层⑻。具体实施方式[0039]以下，更详细地说明本发明。[0040]如上所述，需要一种晶片加工体，其在表面形成有凹凸的晶片、形成有保护有机膜层的晶片或形成有这两者的晶片上形成小于IOOnm的膜厚的有机膜时，能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，确认覆盖性。[0041]本发明人为了解决上述问题而努力研究。其结果发现，在表面形成有凹凸的晶片、形成有保护有机膜层A的晶片或形成有这两者的晶片上形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻时，使上述有机膜层⑻含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，并观察通过照射紫外光而发出的可见光，由此，能够确认有机膜层⑻的覆盖性，从而完成本发明。[0042]以下，参照附图并具体地说明本发明的实施方式，但本发明不限于以下说明。[0043][晶片加工体][0044]图1是表示本发明的晶片加工体的一个例子的剖面示意图。如图1所示，本发明的晶片加工体10，在表面形成有凹凸和保护有机膜层A12的晶片11上，形成有小于IOOnm的膜厚的有机膜层B13。而且，此有机膜层B13含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。另外，图1中示出了表面形成有凹凸和保护有机膜层A的晶片，但本发明中的晶片可以是表面形成有凹凸或保护有机膜层A的晶片。[0045]如果是这种晶片加工体，则能够通过照射紫外线（200〜400nm，优选为300〜400nm并确认基于可见光的发光，从而根据发光、未发光的地方的差别，来确认形成于晶片上的有机膜层⑻的形成状态。[0046]以下，更详细地说明本发明的晶片加工体的各个构成。[0047][晶片][0048]本发明中的晶片，可以列举，[0049]a表面形成有凹凸的晶片、[0050]⑹表面形成有保护有机膜层㈧的晶片、[0051]C表面形成有凹凸与保护有机膜层㈧两者的晶片。[0052]形成于晶片表面的凹凸（微细的凹凸），其形状并无特别限制，但通常是具有0.1〜500μπι的高低差且落在1〜ΙΟΟΟμπι见方内的尺寸的球状、圆柱状、多边形柱状结构物、或是0.1〜ΙΟΟΟμπι宽的线状结构物。如果是这样的结构物，当在所述晶片上形成膜时，存在高低差的部分所形成的膜的厚度有时会发生偏差和形成不完全，但一般来说，由于在存在高低差的地方，反射光不会正常地折返，因此膜厚测量常用的光学式膜厚测量装置等有时无法进行膜厚测量，在发生形成不完全的地方小于测量点径的情况下也无法进行正确的测量。[0053]此外，当晶片表面形成有保护有机膜层㈧时，即使在其上形成有机膜层⑻，目视的变化也小，难以判别形成不完全和形成不均。当使用光学式膜厚测量装置时，虽然能够检测测量点径内的变化，但难以发现在晶片整个面上有问题的地方。[0054]关于保护有机膜层A，如果是为了保护晶片表面的目的而形成的膜，则种类无特别限定，但一般来说，是使用聚酰亚胺、聚苯并恶唑、硅酮改性聚合物、硅酮聚合物、丙烯酸聚合物、环氧聚合物、含二氧化硅填料的有机膜等热固性材料。这些热固性材料可以是光敏性，此时，一般是一起形成有凹凸形状。[0055]关于保护有机膜层㈧的厚度并无特别限制，但通常是选择1〜200μπι的膜厚、优选为2〜ΙΟΟμπι的膜厚、更优选为5〜50μπι的膜厚。[0056]此外，这些晶片可以是器件晶片，所述器件晶片在其内侧和其表面结构下等形成有电路电子电路）。一般来说这种器件晶片是昂贵的，因此要求能够非破坏性地检查。[0057]在本发明的晶片加工体中，有机膜层B含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，因此对形成有上述有机膜层⑻的上述晶片照射紫外光，并根据此时的发光状态，能够确认上述有机膜层B的覆盖性。因此，即使是在如上所述的晶片的情况下，如果是本发明，则能够非破坏性地且简便地观察凹凸部分的周边状态、和在晶片面内的有机膜层⑻等的分布状态。[0058][有机膜层⑻][0059]有机膜层⑻是含有荧光剂且膜厚小于IOOnm的有机膜层，所述荧光剂如果照射紫外光则会发出可见光。有机膜层⑻的膜厚的下限值，例如可以设为lnm。有机膜层⑻的膜厚，优选为5〜50nm，进一步优选为10〜40nm。如果膜厚为IOOnm以上，则会产生可见光的干涉条纹，即使目视也可以知道存在涂布膜有机膜层B。此时，即使不使用本发明的晶片加工体，也能够在可见光下目视确认有机膜层B的存在。但是，如果膜厚小于IOOnm，则干涉条纹会变淡，难以利用目视确认，尤其是5〜50nm，会使目视确认变困难，因此能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0060]关于有机膜层⑻的除荧光剂以外的含有成分并无特别限制，但优选为，不含具有所形成的膜厚以上的尺寸的固体成分。[0061]此外，关于有机膜层⑻的除荧光剂以外的含有成分，可以使用热塑性有机聚硅氧烷聚合物。热塑性有机聚硅氧烷聚合物的玻璃化转变温度低，且在常温下具有流动性，因此，通过进行晶片的剖面观察来测量涂布膜厚的方法，有时无法很好地进行观察。因此，能够更优选地使用本发明的晶片加工体。[0062]作为有机膜层⑻中包含的热塑性有机聚硅氧烷聚合物，其结构并无特别限定，但可以列举例如以下非反应性有机聚硅氧烷:含有99.000〜99.999摩尔％的由R11R12SiO2Z2表示的硅氧烷单元D单元）、1.000〜0.001摩尔％的由R13R14R15SiOv2表示的硅氧烷单元M单元）、以及0.000〜0.500摩尔％的由R16SiOv2表示的硅氧烷单元T单元），并且重均分子量为200000〜1000000，进一步地，分子量为740以下的低分子量成分为0.5质量％以下的非反应性有机聚硅氧烷。[0063]在上述中，有机取代基!^、!^、!^、!^、!^、!^是无取代或取代的一价烃基^尤选为无取代或取代的碳原子数1〜10的一价烃基，具体来说，可以列举，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、环戊基及正己基等烷基;环己基等环烷基;苯基、甲苯基等芳基等烃基;这些氢原子的部分或全部被卤原子取代而成的基团；大多为甲基和苯基。[0064]该有机聚娃氧烧的分子量是利用凝胶渗透色谱（GeIPermeatiοηChromatography，GPC，根据由聚苯乙稀标准物质制成的校准曲线获得的重均分子量本说明书中，“重均分子量”是指所述重均分子量）的值，重均分子量为200000以上、更优选为350000以上，并且，重均分子量为1000000以下、更优选为800000以下，进一步地，优选为分子量为740以下的低分子量成分含量为0.5质量％以下。[0065]此外，作为有机膜层⑻中包含的热塑性有机聚硅氧烷聚合物，可以是有机聚硅氧烷树脂与由下述通式（1表示的有机聚硅氧烷的部分缩合物，所述有机聚硅氧烷树脂含有R21R22R23SiOv2单元和Si〇42单元，且R21R22R23SiOv2单元Si〇42单元的摩尔比为0.6〜1.7,所述有机聚硅氧烷的两末端被羟基封闭且聚合度η为5000〜10000。有机聚硅氧烷的聚合度为5000〜10000,因此包含上述部分缩合物的有机膜层⑻可以说是热塑性高聚合度树脂改性有机聚硅氧烷聚合物层。[0067]在上述中，R31和R32是无取代或取代的碳原子数1〜10的一价烃基，具体来说，可以列举，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基等烷基;环己基等环烷基;苯基、甲苯基等芳基等一价烃基;这些氢原子的部分或全部被卤原子取代而成的基团；一般为甲基和苯基。[0068]此外，R21、R22及R23是无取代或取代的碳原子数1〜10的一价烃基，具体来说，可以列举，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基等烷基;环己基等环烷基;苯基、甲苯基等芳基等一价烃基;这些氢原子的部分或全部被卤原子取代而成的基团、羟基等;一般为甲基。[0069]上述含有R21、R22、R23Si〇i2单元M单元和Si〇42单元Q单元的有机聚娃氧烧树脂以下也称作MQ树脂），可以具有键合于硅原子上的羟基。相对于IOOg的MQ树脂，羟基的含量是O〜4.O质量％左右。进一步地，此MQ树脂可以具有相对少量的R24SiO3Z2T单元）、和R25R26Si022D单元）（R24、R25、R26是无取代或取代的碳原子数1〜10的一价烃基或羟基，作为具体例子，可以列举与上述R21、R22、R23的例示相同的基[0070]此外，此时，在上述热塑性树脂改性有机聚硅氧烷中，上述进行脱水缩合的有机聚硅氧烷与上述有机聚硅氧烷树脂的比例一般是99:1〜50:50。[0071]作为用于脱水缩合反应的有机溶剂，有戊烷、己烷、环戊烷、环己烷、甲基环己烷、辛烷、异辛烷、癸烷、i^一烷、异十二烷、柠檬烯（Iimonene、蒎烯Pinene、甲苯等，一般为甲苯。此外，作为所使用的胺系催化剂，有氨水、三乙胺、吡啶等，一般是使用氨水。进一步地，作为反应时间，是12〜100小时。[0072]反应结束后，将所获得的有机聚硅氧烷溶于甲苯等溶剂中，相对于100质量份有机聚硅氧烷，加入5〜20质量份的六甲基二硅氮烷，并使其回流3〜5小时，能够将残留的羟基制成三甲基硅氧基。[0073]进一步地，将所获得的树脂改性有机聚硅氧烷溶于己烷等良溶剂中，相对于其总质量，与1.5〜3倍量的丙酮等不良溶剂混合，能够使用析出于下层的树脂改性有机聚硅氧烷。[0074]所获得的树脂改性有机聚硅氧烷的分子量，是利用GPC凝胶渗透色谱），根据由聚苯乙烯标准物质制成的校准曲线获得的重均分子量的值，重均分子量一般是400000以上。[0075]有机膜层⑻的形成方法无特别限制，但作为一个例子，可以采取旋转涂布、狭缝涂布、喷涂、真空蒸镀、薄膜层压等方法。例如，当使用旋转涂布法时，是形成旋转涂布膜作为有机膜层⑻。[0076]尤其，旋转涂布一般是将有机膜层⑻的构成成分溶于溶剂等中，调整成能够依目的的膜厚来进行涂布，并且提供使用。此时，有机膜层B的构成成分与溶剂的混合物只要一边以成为所希望的厚度的方式控制液量，一边进行旋转涂布即可，但在200_晶片的情况下，优选为将上述混合物的涂布量滴下量设为〇.5〜20ml。所使用的溶剂只要是能够溶解有机膜层⑻的溶剂，并无特别限制。作为一个例子，当将上述热塑性有机聚硅氧烷聚合物使用于有机膜层⑻时，能够优选地使用戊烷、己烷、环己烷、异壬烷、癸烷、异十二烷、柠檬烯、对薄荷烷等烃系溶剂。[0077]作为将热塑性有机聚硅氧烷聚合物溶于溶剂中而得的溶液的聚合体浓度，是0.01〜3.00质量％，优选为0.05〜2.00质量％，更优选为0.20〜1.00质量％，如果是0.01质量％以上的溶液浓度，则涂布后的膜不会变得过薄，容易成膜;如果是3.00质量％以下的溶液浓度，则涂布后的膜厚不可能超过l〇〇nm。进一步将荧光剂溶于此将热塑性有机聚硅氧烷聚合物溶于溶剂中而得的溶液中，并进行旋转涂布，由此，可以形成有机膜层⑻。[0078]在如上所述的有机膜层⑻的情况下，如果是本发明，则能够非破坏性地利用目视或显微镜观察等，来简便地观察晶片面内的分布状态。[0079][荧光剂][0080]作为荧光剂，只要是吸收紫外光且发出可见光的荧光物质，并无特别限制。作为所照射的紫外光的波长范围是200〜400nm，优选为300〜400nm，作为所发出的可见光的波长范围是380〜750nm，优选为400〜500nm。[0081]作为满足上述吸光、发光波长的材料，已知荧光增白剂，由取得的简单程度、危险性低的程度等来看，在作为荧光剂使用上是优选的。[0082]作为荧光增白剂，可以列举例如以下的物质。[0083]二苯乙烯基苯类，例如具有氰基的1，4-二苯乙烯基苯、4,4’-双2-甲氧基苯乙烯基）联苯;二（苯乙烯基）联苯类，例如4,4’-二（2-磺基苯乙烯基联苯二钠盐、4,4’-二3-横基苯乙稀基联苯_纳盐、4,4’-_4-氯-3-横基苯乙稀基联苯_纳盐、4,4’-_.6-氯-3-磺基苯乙稀基联苯二钠盐;二乙稀基二苯乙稀类，例如4,4’-二（乙氧基羰基乙稀基）二苯乙烯或4,4’-二氰基乙烯基）二苯乙烯;三嗪基胺基二苯乙烯类，例如4,4’-二胺基二苯乙烯_2,2’-二磺酸的1，3,5_三嗪基衍生物；二苯乙烯基-2H-三唑类，例如二苯乙烯基-2H-萘并[I，2-d]三唑、双（1，2，3-三唑-2-基二苯乙烯;苯并恶唑类，例如二苯乙烯基苯并恶唑、双苯并恶唑）、1，4-双2-苯并恶唑基萘；呋喃类;苯并呋喃类;苯并咪唑类;香豆素类等。荧光增白剂优选为二苯乙烯基苯类、苯并恶唑类。只要是如上所述的荧光增白剂，则易于根据发光确认涂布状况。[0084]作为荧光剂的含量，通常是有机膜层（B中的0.1〜50质量％，优选为1.0〜30质量％，进一步优选为2.0〜20质量％。如果是0.1质量％以上，则容易确认发光；如果是50质量％以下，则膜厚变得不易变动。[0085][晶片加工体的制造方法][0086]本发明的晶片加工体的制造方法，包括在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻的工序，所述方法的特征在于，将上述有机膜层⑻制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。[0087]各有机膜层的构成、形成有机膜层⑻的方法等的详细内容，如上述晶片加工体的项目所记载。[0088]如果是这样的晶片加工体的制造方法，则能够确实地制造一种晶片加工体，所述晶片加工体能够利用非破坏性、简便且能再利用晶片的方法，来确认有机膜的覆盖性。[0089]此外，优选为，在形成有机膜层B的工序后，包括以下工序:对形成有有机膜层⑻的晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认有机膜层⑻的覆盖性。通过进行这样的确认工序，能够简便地对未形成有机膜层⑻的地方进行确认。[0090]进一步地，在本发明中，根据以下方式能够制造薄膜晶片:在形成有有机膜层B的晶片加工体上，形成粘合剂、接合剂等第3成分层，根据需要在第3成分层上进一步形成支撑体，并对积层面外的晶片面背面进行切削加工等。此时，作为晶片加工体，能够使用经上述确认工序被确认有机膜层的覆盖性为良好的晶片加工体。此外，除不含荧光剂以外，也能够使用在与上述被确认覆盖性为良好的晶片加工体相同条件下制造出来的晶片加工体。[0091][有机膜的覆盖性确认方法][0092]本发明的有机膜的覆盖性确认方法，其在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上，形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑻时，确认上述晶片上的上述有机膜层⑻的覆盖性，所述方法的特征在于，将上述有机膜层⑻制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，并且，对形成有上述有机膜层⑻的上述晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认上述有机膜层⑻的覆盖性。[0093]各有机膜层的构成、形成有机膜层⑻的方法等的详细内容，如上述晶片加工体的项目所记载。[0094]在本发明的有机膜的覆盖性确认方法中，是将有机膜层B制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，因此对形成有上述有机膜层⑻的上述晶片照射紫外光，能够根据该照射时的发光状态来确认上述有机膜层B的覆盖性。具体来说，未形成有机膜层⑻的地方不会发光，因此能够将不会发光的地方判定为未形成有机膜层⑻的地方。由此，能够以目视等详细地确认具有凹凸图案等的晶片上的有机膜的分布状态。此外，也能够决定覆盖性为良好的涂布条件。[0095]作为这种晶片加工体的应用例，能够应用于例如以下的晶片暂时接合技术:将此晶片加工体的有机膜层B隔着接合层，与支撑体贴合，来制作晶片积层体，并根据对晶片加工体的背面进行机械研磨，来使晶片加工体薄膜化，并使用有机膜层⑻作为脱模层，来将薄膜化后的晶片加工体从晶片积层体剥离，由此，获得薄膜化后的晶片加工体。此时，作为接合层，只要是能够在不会对晶片加工体的器件面造成损伤的情况下无间隙地将晶片加工体表面的微细凹凸填埋的材料，都能够应用，能够优选地使用热固性树脂或热塑性树脂，进一步优选地使用未固化的热固性树脂。另外，作为晶片加工体的应用例，不限于上述。[0096][实施例][0097]以下，示出实施例和比较例来更具体地说明本发明，但本发明不限于下述实施例。[0098][树脂合成例][0099]在四颈烧瓶内装入IOOOg3.38摩尔）八甲基环四硅氧烷和0.24g0.0015摩尔）六甲基二硅氧烷，并保持温度在ll〇°C。接着，在其中加入4g的10质量％四丁基氢氧化膦硅醇盐，经4小时聚合后，以160°C进行后处理2小时，获得二甲基聚硅氧烷。[0100]利用29Si-NMR法调查此二甲基聚硅氧烷的D单元和M单元的比例后，鉴定出下述结构的二甲基聚硅氧烷，其D单元为99.978%、M单元为0.022%、并且聚合度大约为9000。[0102]将500g此二甲基聚硅氧烷溶解于500g己烷中后，将其投入2L的丙酮中，回收析出的树脂，然后，在真空下去除己烷等，获得二甲基聚硅氧烷聚合物，其分子量为740以下的低分子量成分为0.05质量％且重均分子量为700000。将0.5g此聚合物溶于99.5g异十二烷中，获得二甲基聚硅氧烷聚合物的异十二烷溶液bl。此外，将0.3g此聚合物溶于99.7g异十二烷中，获得异十二烷溶液b2，将I.Og聚合物溶于99.Og异十二烷中，获得异十二烷溶液b3。另外，重均分子量是根据GPC进行测量。[0103][实施例1〜8及比较例1、2][0104]按照表1，在（bl、（b2、（b3溶液中添加荧光增白剂（cl、（c2，并搅拌、混合bl、（b2、（b3溶液与荧光增白剂（cl、（c2后，以0.2μπι的膜过滤器进行过滤，获得®-1、（Β-2、（Β-3、（Β-4、（Β-6、（Β-7溶液。另外，根据以下方式制备Β-5溶液:不添加荧光增白剂，并以〇.2μπι的膜过滤器来过滤bl溶液。[0105]将此溶液利用旋转涂布来涂布于直径200mm硅晶片（厚度：725μπι上，并利用加热板，以180Γ加热5分钟，由此将与有机膜层⑻相对应的材料按照表1所示的膜厚，成膜于晶片的形成有铜柱和保护有机膜层A的面上，所述硅晶片的整个表面上形成有高度ΙΟμπι且直径40μηι的铜柱copperpost，且仅在不存在有铜柱的部分形成有膜厚8μηι的聚酰亚胺膜作为保护有机膜层A参照图1。另外，表1的膜厚值，是以下述方式进行而获得的测量值。即，是利用光干涉式膜厚计来测定与有机膜层⑻23相对应的材料的膜厚而得的值，所述有机膜层B23如图2所示，是以与形成有上述铜柱等的硅晶片的情况相同的涂布条件，在直径200mm裸娃晶片21上涂布上述溶液而获得的。[0106]然后，在暗室中照射波长325nm的黑光，并确认发光的情况。[0107][表1][0108][0109]cl:4,4’-双2-甲氧基苯乙烯基联苯[0110]C2:1,4-双2-苯并恶唑基萘[0111]如表1所示，在满足了本发明的要件的实施例1〜8中，通过黑光的照射，能够确认到涂布有有机膜层⑻的面的发光可见光），能够目视确认到形成有有机膜层⑻。但是，在比较例1、2中，由于不含荧光剂，因此无法以目视确认成膜。此外，在实施例1、3、5、6、7、8中，充分地滴下了涂布所需要的溶液，并且进行涂布，能够目视确认到无漏涂地整面涂布。另一方面，在实施例2、4中，有意地减少滴下量来进行涂布的结果，根据发光能以目视确认到外周部有漏涂。另一方面，在比较例1、2中，由于无法确认发光，因此无法确认是否有漏涂。[0112]另外，本发明并不限于上述的实施方式。上述实施方式是例示，只要是具有与本发明的权利要求书中记载的技术思想实质相同的构成并发挥同样的作用效果的技术方案，都被包括在本发明的技术范围中。

权利要求：1.一种晶片加工体，在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上，形成有小于IOOnm的膜厚的有机膜层B，所述晶片加工体的特征在于，前述有机膜层⑶含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。2.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，前述表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片是形成有电路的器件晶片。3.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，前述形成的小于IOOnm的膜厚的有机膜层B是旋转涂布膜。4.如权利要求2所述的晶片加工体，其中，前述形成的小于IOOnm的膜厚的有机膜层B是旋转涂布膜。5.如权利要求1所述的晶片加工体，其中，前述有机膜层⑶形成为5〜50nm的膜厚。6.如权利要求2所述的晶片加工体，其中，前述有机膜层⑶形成为5〜50nm的膜厚。7.如权利要求3所述的晶片加工体，其中，前述有机膜层⑶形成为5〜50nm的膜厚。8.如权利要求4所述的晶片加工体，其中，前述有机膜层⑶形成为5〜50nm的膜厚。9.如权利要求1至8中任一项所述的晶片加工体，其中，前述有机膜层B包含热塑性有机聚硅氧烷聚合物，来作为除前述荧光剂以外的含有成分。10.如权利要求1至8中任一项所述的晶片加工体，其中，前述荧光剂为荧光增白剂。11.如权利要求9所述的晶片加工体，其中，前述荧光剂为荧光增白剂。12.—种晶片上的有机膜的覆盖性确认方法，在表面形成有凹凸和或保护有机膜层0V的晶片上，形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层B时，确认前述晶片上的前述有机膜层⑶的覆盖性，前述覆盖性确认方法的特征在于，将前述有机膜层⑶制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂，对形成有前述有机膜层B的前述晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认前述有机膜层⑶的覆盖性。13.—种晶片加工体的制造方法，包括在表面形成有凹凸和或保护有机膜层A的晶片上形成小于IOOnm的膜厚的有机膜层⑶的工序，所述制造方法的特征在于，将前述有机膜层⑶制成含有通过照射紫外光来发出可见光的荧光剂。14.如权利要求13所述的晶片加工体的制造方法，其中，在前述形成有机膜层B的工序后，包括以下工序:对形成有前述有机膜层⑶的前述晶片照射紫外光，并根据该照射时的发光状态来确认前述有机膜层⑶的覆盖性。

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