申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2020-03-19

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112272870B

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/40;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/30;H01L33/14

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.26#公开

摘要：本发明提供了一种发光二极管。在一些实施中，该发光二极管包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层，所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层，其特征在于：所述第一电极和第二电极位于半导体发光叠层的第一表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层，所述绝缘层之上设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁。

主权项：1.发光二极管，包括半导体发光叠层、第一电极和第二电极，其中所述半导体发光叠层具有相对的第一表面、第二表面及连接该第一表面和第二表面的侧壁，包含第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述第一电极电连接至所述第一导电型半导体层，所述第二电极电连接至所述第二导电型半导体层，其特征在于：所述第一电极位于所述体发光叠层的第一表面之上，第二电极位于半导体发光叠层的第二表面之上，两者之间的间距为80μm以下，所述半导体发光叠层的侧壁覆盖有具有载流子俘获效应的绝缘层，所述绝缘层的材料选自Six1N、Six2ON、Six1N：P或者Six2ON：P，其中Six1N的Si组份的摩尔比X1大于0.75，所述Six2ON的Si组份的摩尔质量比X2为0.5～1.0，所述绝缘层之上设置有钝化层，所述钝化层覆盖所述半导体发光叠层的侧壁及露出的第一表面、第一电极和第二电极的侧壁，所述半导体发光叠层的第一表面定义有电极区和发光区，所述第一电极和第二电极位于所述电极区，所述发光区至少一部分没有设置所述绝缘层，仅形成钝化层。

全文数据：

权利要求：

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