申请/专利权人：晶元光电股份有限公司

申请日：2018-02-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113725296B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/15;H01L29/872

优先权：["20170222 TW 106105894"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格外延结构；一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格外延结构上；一第二超晶格外延结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上；及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格外延结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。

主权项：1.一种氮化物半导体外延叠层结构，其特征在于，包含：硅基板；成核层，包含铝组成比例，配置于该硅基板上，其中，该成核层的材料包含氮化铝或氮化铝镓；缓冲结构，配置于该成核层上，依序包含：第一超晶格外延结构，其中，该第一超晶格外延结构由第一氮化铝镓超晶格层及第二氮化铝镓超晶格层交互堆叠而成；第一氮化镓系层，配置于该第一超晶格外延结构上；以及第二超晶格外延结构，配置于该第一氮化镓系层上，其中，该第二超晶格外延结构由第三氮化铝镓超晶格层及第四氮化铝镓超晶格层交互堆叠而成；通道层，配置于该缓冲结构上；以及阻挡层，配置该通道层上；其中，该第一超晶格外延结构包含第一平均铝组成比例，该第一氮化镓系层包含第一铝组成比例，该第二超晶格外延结构包含第二平均铝组成比例；其中，该成核层的铝组成比例≥该第一平均铝组成比例该第一铝组成比例该第二平均铝组成比例。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶元光电股份有限公司 氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件

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