申请/专利权人：厦门钨业股份有限公司

申请日：2023-07-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220703866U

主分类号：C30B29/38

分类号：C30B29/38;C30B11/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型提供了一种晶体生长装置，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温盖；设置于保温盖上的加料口；设置于保温盖内的至少一个蓝宝石透光口；设置于蓝宝石透光口上方的光源发射器；设置于坩埚的外侧壁和保温层之间的上热电偶和下热电偶；所述上热电偶设置于坩埚的外侧壁的顶部一侧；所述下热电偶设置于坩埚的外侧壁的底部一侧。本实用新型提供的晶体生长装置可以为晶体提供相对密闭的生长环境，同时能够降低径向的温度梯度，有利于晶体生长。

主权项：1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：坩埚；包裹在所述坩埚的外周面的保温层；设置在所述保温层的外侧周向的感应线圈；位于所述坩埚的下方且用于固定籽晶的晶座，所述籽晶深入所述坩埚内，所述晶座内设置有冷却系统；设置于坩埚的顶部的保温盖；设置于保温盖上的加料口；设置于保温盖内的至少一个蓝宝石透光口；设置于蓝宝石透光口上方的光源发射器；设置于坩埚的外侧壁和保温层之间的热电偶；所述热电偶包括上热电偶和下热电偶；所述上热电偶设置于坩埚的外侧壁的顶部一侧；所述下热电偶设置于坩埚的外侧壁的底部一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门钨业股份有限公司 一种晶体生长装置

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