申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-07-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855183A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/367;H01L25/18;H10B80/00

优先权：["20221006 KR 10-2022-0128084"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：一种半导体封装，包括：第一再分布结构；第一半导体器件，安装在第一再分布结构上；模制层，围绕第一半导体器件；第二再分布结构，设置在模制层和第一半导体器件上；多个竖直连接导体，在模制层中竖直地延伸，并将第一再分布图案电连接到第二再分布图案；第二半导体器件，安装在第二再分布结构上，第二半导体器件和第一半导体器件彼此竖直地部分重叠；散热焊盘结构，接触第一半导体器件的上表面；以及散热板，设置在散热焊盘结构上，并沿第一直线与第二半导体器件间隔开，该第一直线在与第一半导体器件的上表面平行的水平方向上延伸。

主权项：1.一种半导体封装，包括：第一再分布结构，包括第一再分布绝缘层和第一再分布图案；第一半导体器件，安装在所述第一再分布结构上；模制层，在所述第一再分布结构上围绕所述第一半导体器件；第二再分布结构，设置在所述模制层和所述第一半导体器件上，并且包括第二再分布绝缘层和第二再分布图案；多个竖直连接导体，在所述模制层中竖直地延伸，并将所述第一再分布图案电连接到所述第二再分布图案；第二半导体器件，安装在所述第二再分布结构上，其中，所述第二半导体器件与所述第一半导体器件彼此竖直地部分重叠；散热焊盘结构，接触所述第一半导体器件的上表面；以及散热板，设置在所述散热焊盘结构上，并沿第一直线与所述第二半导体器件间隔开，所述第一直线在与所述第一半导体器件的上表面平行的水平方向上延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体封装

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD