申请/专利权人：中国原子能科学研究院

申请日：2023-12-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117849848A

主分类号：G01T1/24

分类号：G01T1/24;G01T7/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请实施例提供的一种半导体射线传感器，包括圆柱形灵敏区、电极阵列、分压电阻阵列以及收集电极。电极阵列包括多个设置于圆柱形灵敏区的周侧壁的电极。各电极沿圆柱形灵敏区的轴向间隔设置。分压电阻阵列与电极阵列对应，并与电极阵列电连接，以使电极阵列在圆柱形灵敏区内形成偏转电场。收集电极设置于圆柱形灵敏区的轴向的一端。电极阵列靠近收集电极的一端与收集电极之间的区域限定为收集区域。电子能够在偏转电场的作用下，沿圆柱形灵敏区的径向漂移至靠近圆柱形灵敏区的中心轴线处，再沿圆柱形灵敏区的中心轴线漂移至收集区域后，产生信号，并被收集电极收集。满足半导体射线传感器的低结电容，大灵敏区体积和小收集路径的需求。

主权项：1.一种半导体射线传感器，其特征在于，包括：圆柱形灵敏区；电极阵列，所述电极阵列包括多个设置于所述圆柱形灵敏区的周侧壁的电极，各所述电极沿所述圆柱形灵敏区的轴向间隔设置；分压电阻阵列，所述分压电阻阵列与所述电极阵列对应，并与所述电极阵列电连接，以使所述电极阵列在所述圆柱形灵敏区内形成偏转电场；收集电极，所述收集电极设置于所述圆柱形灵敏区的轴向的一端，所述电极阵列靠近所述收集电极的一端与所述收集电极之间的区域限定为收集区域；射线在所述圆柱形灵敏区内电离产生的电子能够在所述偏转电场的作用下，沿所述圆柱形灵敏区的径向漂移至靠近所述圆柱形灵敏区的中心轴线处，再沿所述圆柱形灵敏区的中心轴线漂移至所述收集区域后，产生信号，并被所述收集电极收集。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国原子能科学研究院 一种半导体射线传感器

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