申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所

申请日：2024-03-07

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855157A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及封装技术领域，具体公开了一种毫米波固态功率放大器的封装结构及方法，封装结构包括设置有热沉区域且采用铝合金制备的封装主体结构、设置在封装主体结构上与封装主体结构一体成型且与封装主体结构之间不形成间隙的热沉；所述热沉呈层状结构且位于热沉区域，包括采用铝基碳化硅复合材料制备的上层结构、以及采用金刚石铝复合材料制备且位于上层结构的底部的下层结构；以及公开了封装方法；本发明消除了热沉与封装主体结构之间的装配间隙，不但提高了射频芯片的散热通道的散热效率，降低高频传输损耗；既保证了芯片的散热通道效率和热膨胀系数匹配性，又保证了封装结构的整体可机械加工成型性和高效的镀涂性。

主权项：1.一种毫米波固态功率放大器的封装结构，其特征在于，包括设置有热沉区域且采用铝合金制备的封装主体结构、设置在封装主体结构上与封装主体结构一体成型且与封装主体结构之间不形成间隙的热沉；所述热沉呈层状结构且位于热沉区域，包括采用铝基碳化硅复合材料制备的上层结构、以及采用金刚石铝复合材料制备且位于上层结构的底部的下层结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种毫米波固态功率放大器的封装结构及方法

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