申请/专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858503A

主分类号：H10B20/20

分类号：H10B20/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明公开一种OTP器件，涉及半导体的技术领域，该OTP器件包括衬底，形成有间隔设置的选择栅以及浮栅，选择栅以及浮栅相互远离的一侧分别形成有位于衬底之上的金属硅化物层，介质层设置于衬底上，介质层内设置有第一金属线，第一金属线与金属硅化物层通过第一接触孔连接，钝化层设置于介质层背离衬底的一侧，钝化层内设置有第二金属线，第二金属线通过第二接触孔连接第一金属线，并且，第一金属线以及第二金属线相配合设置于OTP器件的外周、每一OTP单元外周以及OTP单元cell区之内，以将OTP器件制程当中所产生的移动正离子导至衬底，从而改善OTP器件的数据保持能力，有效屏蔽来自于OTP器件外部的干扰信号，也避免了外部因素对于浮栅电荷的干扰。

主权项：1.一种OTP器件，其特征在于，包括：衬底10，形成有间隔设置的选择栅11以及浮栅12，所述衬底10上形成有金属硅化物层13；以及介质层，设置于所述衬底10上，所述介质层内设置有第一金属线31，所述第一金属线31与所述金属硅化物层13通过第一接触孔22连接；钝化层40，设置于所述介质层背离所述衬底10的一侧，所述钝化层40内设置有第二金属线41，所述第二金属线41通过第二接触孔32连接所述第一金属线31；所述第一金属线31以及所述第二金属线41相配合设置于所述OTP器件整体的外周、所述OTP器件每一OTP单元的cell区的外周以及所述OTP器件每一OTP单元的cell区之内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 粤芯半导体技术股份有限公司 一种OTP器件

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