申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858516A

主分类号：H10B80/00

分类号：H10B80/00;H01L29/423;H01L29/10

优先权：["20221006 KR 10-2022-0127553"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：一种垂直半导体器件，包括：图案结构，包括交替且重复堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅电极，其中图案结构包括用作擦除晶体管的栅电极的第一栅电极，其中第一栅电极是多个栅电极中的一个；以及在穿过图案结构的沟道孔中的沟道结构，其中沟道结构包括数据存储结构、第一沟道、未掺杂半导体衬垫、掺杂半导体图案、填充绝缘图案和覆盖图案，其中数据存储结构、第一沟道、未掺杂半导体衬垫和掺杂半导体图案顺序地设置在第一栅电极的侧壁上。

主权项：1.一种垂直半导体器件，包括：图案结构，所述图案结构包括交替且重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅电极，其中所述图案结构包括用作擦除晶体管的栅电极的第一栅电极，其中所述第一栅电极是所述多个栅电极中的一个；以及在穿过所述图案结构的沟道孔中的沟道结构，其中所述沟道结构包括数据存储结构、第一沟道、未掺杂半导体衬垫、掺杂半导体图案、填充绝缘图案和覆盖图案，其中所述数据存储结构、所述第一沟道、所述未掺杂半导体衬垫和所述掺杂半导体图案顺序地设置在所述第一栅电极的侧壁上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 接合型垂直半导体器件

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