申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855193A

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H05K9/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请公开了一种接地屏蔽层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，衬底中形成有STI结构；在衬底上形成刻蚀停止层，刻蚀停止层覆盖半导体器件和STI结构，刻蚀停止层用于后续形成的接触孔的刻蚀停止；通过RFPVD工艺在介质层上沉积形成低阻金属层，低阻金属层的阻值小于10Ωsq；进行刻蚀，去除目标区域的低阻金属层，剩余的低阻金属层在STI结构上形成接地屏蔽层，接地屏蔽层是后续形成的电感与衬底之间的中间层。由于RF‑PVD工艺可以精准、灵活地控制接地屏蔽层的厚度，因此能够在保持低电阻的基础上尽可能降低接地屏蔽层的寄生电容；同时，由于接地屏蔽层形成于STI结构上方，因此能够减少接地屏蔽层自身电容性耦合产生的串扰。

主权项：1.一种接地屏蔽层的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有半导体器件，所述衬底中形成有STI结构；在所述衬底上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述半导体器件和所述STI结构，所述刻蚀停止层用于后续形成的接触孔的刻蚀停止；通过RFPVD工艺在所述介质层上沉积形成低阻金属层，所述低阻金属层的阻值小于1Ωsq；进行刻蚀，去除目标区域的低阻金属层，剩余的低阻金属层在所述STI结构上形成所述接地屏蔽层，所述接地屏蔽层是后续形成的电感与所述衬底之间的中间层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 接地屏蔽层的形成方法

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