申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-02-03

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111554571B

主分类号：H01L21/027

分类号：H01L21/027;H01L21/67;G03F7/16

优先权：["20190208 JP 2019-021636"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理。热处理单元包括：支承基片并对其进行加热的热板；覆盖热板上的处理空间的腔室；在腔室内从上方向热板上的基片释放含有水分的气体的气体释放部；从处理空间的外周对腔室内进行排气的排气部；和设置于腔室的用于加热腔室的加热器。本发明对使用了含金属抗蚀剂的抗蚀剂图案的品质的稳定性是有效的。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于：包括对基片进行热处理的热处理单元，其中，所述基片形成有含金属抗蚀剂的覆膜且已对该覆膜实施了曝光处理，所述热处理单元包括：支承所述基片并将其加热至目标温度的热板，其中，所述目标温度是所述热板上的所述基片被加热而随之从所述覆膜产生金属升华物的温度；覆盖所述热板上的处理空间的腔室；在所述腔室内从上方向所述热板上的所述基片释放含有水分的气体的气体释放部；从所述处理空间的外周对所述腔室内进行排气的排气部；设置于所述腔室的用于加热所述腔室的加热器；和加热器控制部，其在所述热处理中控制所述加热器以使得所述腔室的温度与所述热板的温度大致一致，由此，使所述腔室接近产生所述金属升华物时的温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

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