申请/专利权人：淮安捷泰新能源科技有限公司

申请日：2023-06-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116844937B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L31/18;B08B3/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.10.24#实质审查的生效;2023.10.03#公开

摘要：本申请公开了一种硅片的RCA清洗方法，涉及太阳能电池片清洗技术领域。该RCA清洗方法包括：碱抛步骤：放置所述硅片至第一碱性溶液中，以去除所述硅片的正面和侧面绕镀的多晶硅层，使所述硅片的所述侧面的第一塔基的尺寸大于所述硅片的背面的第二塔基的尺寸；清洗步骤：冲洗已经脱附的杂质及所述硅片表面残留的所述第一碱性溶液，并去除附着在所述硅片表面的所述第一碱性溶液中的有机物；慢提拉步骤：慢提所述硅片，以进行预脱水；烘干步骤、烘干所述硅片表面残留的水分。该方案能够解决目前太阳能电池片的背面反射率较低以及侧面易漏电的的问题。

主权项：1.一种硅片的RCA清洗方法，其特征在于，包括：碱抛步骤：将所述硅片放置到第一碱性溶液中，所述第一碱性溶液与所述硅片的正面的硼硅玻璃BSG和背面的磷硅玻璃PSG结合形成保护层，而所述硅片的所述正面和侧面绕镀的多晶硅层与所述第一碱性溶液反应，以去除所述多晶硅层，将所述硅片的背面和所述侧面的金字塔绒面进行抛光，并对所述硅片的所述侧面的第一塔基进行清洗，以使所述硅片的所述侧面的第一塔基的平均尺寸大于所述硅片的背面的第二塔基的平均尺寸；清洗步骤：冲洗已经脱附的杂质及所述硅片表面残留的所述第一碱性溶液，并去除附着在所述硅片表面的所述第一碱性溶液中的有机物；慢提拉步骤：慢提所述硅片，以进行预脱水；烘干步骤、烘干所述硅片表面残留的水分。

全文数据：

权利要求：

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