申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-09-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN220753459U

主分类号：H01L33/42

分类号：H01L33/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权

摘要：本实用新型公开了一种用于LED芯片的透明导电层及LED芯片，涉及光电子制造技术领域。其中，用于LED芯片的透明导电层设置在LED芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述透明导电层层叠于所述P型半导体层上；其特征在于，所述透明导电层包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一ITO层，Ag金属层和第二ITO层；其中，所述第一ITO层的厚度所述Ag金属层的厚度本实用新型的透明导电层具有较优的导电性能，电流扩展作用强。且不会造成电极击穿，也不会因透明导电层反射光而导致光效下降。

主权项：1.一种用于LED芯片的透明导电层，其设置在LED芯片的外延结构上，所述外延结构包括依次层叠的衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述透明导电层层叠于所述P型半导体层上；其特征在于，所述透明导电层包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一ITO层，Ag金属层和第二ITO层；其中，所述所述

全文数据：

权利要求：

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